[发明专利]焦平面阵列探测器及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201711244260.3 申请日: 2017-11-30
公开(公告)号: CN108257984A 公开(公告)日: 2018-07-06
发明(设计)人: 金迎春;刘斌;周文洪;黄立 申请(专利权)人: 武汉高芯科技有限公司
主分类号: H01L27/144 分类号: H01L27/144;G01J5/20
代理公司: 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 代理人: 张强
地址: 430205 湖北省武*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 焦平面阵列探测器 金属单元 光敏 衬底表面 填充胶 像元 制备 读出电路 平面阵列 区域设置 制备工艺 短路 衬底 良率 量产 凸点 错位 覆盖
【权利要求书】:

1.一种焦平面阵列探测器,其特征在于,包括光敏衬底(1),覆盖在所述光敏衬底(1)表面的金属单元阵列(2),所述光敏衬底(1)表面金属单元阵列(2)以外的区域设置有连为一体的填充胶(4),所述填充胶(4)的高度大于所述金属单元阵列(2)的高度。

2.如权利要求1所述的焦平面阵列探测器,其特征在于,所述填充胶(4)为环氧胶。

3.如权利要求1或2所述的焦平面阵列探测器,其特征在于,还包括读出电路板(5)与铟凸点单元阵列(6),所述铟凸点单元阵列(6)具有与所述金属单元阵列(2)中金属单元一一对应的铟凸点单元,所述铟凸点单元一端连接在所述读出电路板(5)上,另一端与对应的金属单元连接。

4.一种焦平面阵列探测器的制备方法,其特征在于,包含如下步骤:

S1、在光敏衬底(1)上制备金属单元阵列(2),在所述金属单元阵列(2)的顶端制备光刻胶胶柱(3),所述金属单元阵列(2)中的金属单元与其顶端的光刻胶胶柱(3)共同构成一个模具柱;

S2、用填充胶(4)将所述模具柱之间的缝隙填满,并固化所述填充胶(4);

S3、清除所述光刻胶胶柱(3)。

5.如权利要求4所述的焦平面阵列探测器的制备方法,其特征在于,所述光刻胶胶柱(3)的直径大于或等于所述金属单元阵列(2)中金属单元的直径,且小于所述相邻金属单元之间的距离。

6.如权利要求4所述的焦平面阵列探测器的制备方法,其特征在于,在所述步骤S3之后还包括:将所述金属单元阵列(2)中的金属单元与铟凸点单元阵列(6)中的铟凸点单元一一连接,所述铟凸点单元阵列(6)连接在读出电路板(5)上。

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