[发明专利]焦平面阵列探测器及其制备方法在审
申请号: | 201711244260.3 | 申请日: | 2017-11-30 |
公开(公告)号: | CN108257984A | 公开(公告)日: | 2018-07-06 |
发明(设计)人: | 金迎春;刘斌;周文洪;黄立 | 申请(专利权)人: | 武汉高芯科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/144 | 分类号: | H01L27/144;G01J5/20 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 张强 |
地址: | 430205 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 焦平面阵列探测器 金属单元 光敏 衬底表面 填充胶 像元 制备 读出电路 平面阵列 区域设置 制备工艺 短路 衬底 良率 量产 凸点 错位 覆盖 | ||
1.一种焦平面阵列探测器,其特征在于,包括光敏衬底(1),覆盖在所述光敏衬底(1)表面的金属单元阵列(2),所述光敏衬底(1)表面金属单元阵列(2)以外的区域设置有连为一体的填充胶(4),所述填充胶(4)的高度大于所述金属单元阵列(2)的高度。
2.如权利要求1所述的焦平面阵列探测器,其特征在于,所述填充胶(4)为环氧胶。
3.如权利要求1或2所述的焦平面阵列探测器,其特征在于,还包括读出电路板(5)与铟凸点单元阵列(6),所述铟凸点单元阵列(6)具有与所述金属单元阵列(2)中金属单元一一对应的铟凸点单元,所述铟凸点单元一端连接在所述读出电路板(5)上,另一端与对应的金属单元连接。
4.一种焦平面阵列探测器的制备方法,其特征在于,包含如下步骤:
S1、在光敏衬底(1)上制备金属单元阵列(2),在所述金属单元阵列(2)的顶端制备光刻胶胶柱(3),所述金属单元阵列(2)中的金属单元与其顶端的光刻胶胶柱(3)共同构成一个模具柱;
S2、用填充胶(4)将所述模具柱之间的缝隙填满,并固化所述填充胶(4);
S3、清除所述光刻胶胶柱(3)。
5.如权利要求4所述的焦平面阵列探测器的制备方法,其特征在于,所述光刻胶胶柱(3)的直径大于或等于所述金属单元阵列(2)中金属单元的直径,且小于所述相邻金属单元之间的距离。
6.如权利要求4所述的焦平面阵列探测器的制备方法,其特征在于,在所述步骤S3之后还包括:将所述金属单元阵列(2)中的金属单元与铟凸点单元阵列(6)中的铟凸点单元一一连接,所述铟凸点单元阵列(6)连接在读出电路板(5)上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的