[发明专利]金属互连结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201711243083.7 | 申请日： | 2017-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN108054137B | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | 王贺莹;黄冠群;陈广龙 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种金属互连结构及其制作方法，在一衬底上形成有至少一层金属互连层，在所述金属互连层上形成介质层，对所述介质层进行刻蚀形成通孔，在所述通孔中填充金属形成通孔结构，在所述介质层及通孔结构上形成铝衬垫层。本发明中铝衬垫层既可以作为衬垫又可以作为顶层金属层，省去顶层金属层和再分布通孔层，精简了工艺流程，降低了生产成本。同时铝衬垫层厚度的降低，减少了铝衬垫表面须状缺陷，减小对后续工艺的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 互连 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种金属互连结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：S01：提供一衬底，所述衬底上形成有至少一层金属互连层，在所述金属互连层上形成介质层；S02：对所述介质层进行刻蚀形成通孔，在所述通孔中填充金属形成通孔结构；S03：在所述介质层及通孔结构上形成铝衬垫层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
