[发明专利]金属互连结构及其制作方法有效
| 申请号: | 201711243083.7 | 申请日: | 2017-11-30 |
| 公开(公告)号: | CN108054137B | 公开(公告)日: | 2020-10-27 |
| 发明(设计)人: | 王贺莹;黄冠群;陈广龙 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768 |
| 代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 智云 |
| 地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 金属 互连 结构 及其 制作方法 | ||
1.一种金属互连结构的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
S01:提供一衬底,所述衬底上形成有至少一层金属互连层,在所述金属互连层上形成介质层;
S02:对所述介质层进行刻蚀形成通孔,在所述通孔中填满金属铜,进行化学机械研磨形成通孔结构;
S03:在所述介质层及通孔结构上形成铝衬垫层;
所述衬底包含第一区域与第二区域,在所述第一区域内形成介质层、通孔、通孔结构以及铝衬垫层的同时,在所述第二区域内也同样形成介质层、通孔、通孔结构以及铝衬垫层,所述第一区域内的通孔和所述第二区域内的通孔在同一高度,且所述第二区域内的通孔的直径大于所述第一区域内的通孔的直径,其中,形成所述第一区域内所述铝衬垫层的步骤包括:
在所述介质层与通孔结构上形成铝层;
所述第二区域内的铝层具有一凹陷,将所述凹陷作为对准标记;
通过所述对准标记对所述第一区域内的铝层进行刻蚀,形成铝衬垫层。
2.根据权利要求1所述的金属互连结构的制作方法,其特征在于,所述介质层依次包括刻蚀终止层和绝缘层。
3.根据权利要求1所述的金属互连结构的制作方法,其特征在于,所述第一区域内的通孔暴露出所述金属互连层。
4.根据权利要求1所述的金属互连结构的制作方法,其特征在于,所述第一区域内的通孔结构的上表面与所述介质层的上表面平齐,所述第二区域内的通孔结构的上表面低于所述介质层的上表面。
5.根据权利要求1所述的金属互连结构的制作方法,其特征在于,所述铝衬垫层的厚度为100nm-900nm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





