[发明专利]小样品的去层方法有效
| 申请号： | 201711234859.9 | 申请日： | 2017-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN108020774B | 公开（公告）日： | 2020-03-20 |
| 发明（设计）人： | 杨领叶 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/28 | 分类号： | G01R31/28 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种小样品的去层方法，包括如下步骤：步骤1、制作一底座芯片；步骤2、根据研磨样品尺寸、形状制作RIE的阻挡层；步骤3、将阻挡层根据研磨样品尺寸、形状粘结在所述底座芯片上；步骤4、在步骤3已经制成的产品上制作能嵌入研磨样品的模具；步骤5、加热去除阻挡层；步骤6、将研磨样品嵌入模具中；步骤7、手动研磨样品正面至目标位置。本发明能够快速、均匀的去除层次，停留在待分析的区域。 | ||
| 搜索关键词： | 样品 方法 | ||
【主权项】：
1.一种小样品的去层方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、制作一底座芯片；步骤2、根据研磨样品尺寸、形状制作反应离子刻蚀的阻挡层；步骤3、将阻挡层根据研磨样品尺寸、形状粘结在所述底座芯片上；步骤4、在步骤3已经制成的产品上制作能嵌入研磨样品的模具；步骤5、加热去除阻挡层；步骤6、将研磨样品嵌入模具中；步骤7、手动研磨样品正面至目标位置。
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