[发明专利]存储器的阈值电压的恢复方法及装置有效
申请号: | 201711230661.3 | 申请日: | 2017-11-29 |
公开(公告)号: | CN109841257B | 公开(公告)日: | 2020-11-06 |
发明(设计)人: | 张赛;胡洪;张建军;陈讲重 | 申请(专利权)人: | 西安格易安创集成电路有限公司;北京兆易创新科技股份有限公司;合肥格易集成电路有限公司 |
主分类号: | G11C16/34 | 分类号: | G11C16/34 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
地址: | 陕西省西安市高新区天谷七路8*** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种存储器的阈值电压的恢复方法及装置,包括:对存储器包含的至少一组存储单元依次进行恢复读操作,其中,对存储单元的栅极施加第一电压,对参考存储单元的栅极施加第二电压,且参考存储单元的漏极与基准电流源的第一端相连,基准电流源的第二端接地;对恢复读操作中,处于编程状态的存储单元进行恢复验证操作,其中,对处于编程状态的存储单元的栅极施加第一电压,对参考存储单元的栅极施加第一电压;对恢复验证操作中,处于擦除状态的存储单元进行编程操作。本发明实施例的技术方案,通过基准电流源,为从参考存储单元的漏极和源极之间的电流增加基准电流源产生的电流,消除了电压变化带来的跨导的影响,缩短了恢复操作的时间。 | ||
搜索关键词: | 存储器 阈值 电压 恢复 方法 装置 | ||
【主权项】:
1.一种存储器的阈值电压的恢复方法,其特征在于,包括:对所述存储器包含的至少一组存储单元依次进行恢复读操作,每一组所述存储单元包括至少一个存储单元,其中,对所述存储单元的栅极施加第一电压,对参考存储单元的栅极施加第二电压,所述第二电压小于所述第一电压,且所述参考存储单元的漏极与基准电流源的第一端相连,所述基准电流源的第二端接地;若所述恢复读操作的读取结果中,有处于编程状态的存储单元,则对所述处于编程状态的存储单元进行恢复验证操作,其中,对所述处于编程状态的存储单元的栅极施加所述第一电压,对所述参考存储单元的栅极施加所述第一电压;若所述恢复验证操作的读取结果中,有处于擦除状态的存储单元,则对所述处于擦除状态的存储单元进行编程操作。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安格易安创集成电路有限公司;北京兆易创新科技股份有限公司;合肥格易集成电路有限公司,未经西安格易安创集成电路有限公司;北京兆易创新科技股份有限公司;合肥格易集成电路有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201711230661.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:闪存参考电路
- 下一篇:半导体器件和包括其的系统