[发明专利]存储器的阈值电压的恢复方法及装置有效
| 申请号： | 201711230661.3 | 申请日： | 2017-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN109841257B | 公开（公告）日： | 2020-11-06 |
| 发明（设计）人： | 张赛;胡洪;张建军;陈讲重 | 申请（专利权）人： | 西安格易安创集成电路有限公司;北京兆易创新科技股份有限公司;合肥格易集成电路有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 陕西省西安市高新区天谷七路8*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 存储器 阈值 电压 恢复 方法 装置 | ||
1.一种存储器的阈值电压的恢复方法，其特征在于，包括：
对所述存储器包含的至少一组存储单元依次进行恢复读操作，每一组所述存储单元包括至少一个存储单元，其中，对所述存储单元的栅极施加第一电压，对参考存储单元的栅极施加第二电压，所述第二电压小于所述第一电压，且所述参考存储单元的漏极与基准电流源的第一端相连，所述基准电流源的第二端接地；
若所述恢复读操作的读取结果中，有处于编程状态的存储单元，则对所述处于编程状态的存储单元进行恢复验证操作，其中，对所述处于编程状态的存储单元的栅极施加所述第一电压，对所述参考存储单元的栅极施加所述第一电压；
若所述恢复验证操作的读取结果中，有处于擦除状态的存储单元，则对所述处于擦除状态的存储单元进行编程操作。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
若所述恢复读操作中，所述存储单元包括的存储单元的读取结果全为擦除状态，则对下一组存储单元进行所述恢复读操作。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
若所述恢复验证操作中，所述存储单元包括的存储单元的读取结果全为编程状态，则对下一组存储单元进行所述恢复读操作。
4.根据权利要求1-3任一一项所述的方法，其特征在于，
阈值电压小于第一阈值的存储单元，在所述恢复读操作中的读取结果为擦除状态；
阈值电压大于或等于所述第一阈值的存储单元，在所述恢复读操作中的读取结果为编程状态；
阈值电压大于或等于所述第一阈值且小于第二阈值的存储单元，在所述恢复验证操作中的读取结果为擦除状态；
阈值电压大于或等于所述第二阈值的存储单元，在所述恢复验证操作中的读取结果为编程状态。
5.一种存储器的阈值电压的恢复装置，其特征在于，包括：
恢复读操作模块，所述恢复读操作模块用于对所述存储器包含的至少一组存储单元依次进行恢复读操作，每一组所述存储单元包括至少一个存储单元，其中，对所述存储单元的栅极施加第一电压，对参考存储单元的栅极施加第二电压，所述第二电压小于所述第一电压，且所述参考存储单元的漏极与基准电流源的第一端相连，所述基准电流源的第二端接地；
恢复验证操作模块，恢复验证操作模块与所述恢复读操作模块相连，用于若所述恢复读操作的读取结果中，有处于编程状态的存储单元，则对所述处于编程状态的存储单元进行恢复验证操作，其中，对所述处于编程状态的存储单元的栅极施加所述第一电压，对所述参考存储单元的栅极施加所述第一电压；
编程模块，所述编程模块与所述恢复验证操作模块相连，用于若所述恢复验证操作的读取结果中，有处于擦除状态的存储单元，则对所述处于擦除状态的存储单元进行编程操作。
6.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，
所述恢复读操作模块还用于若所述恢复读操作中，所述存储单元包括的存储单元的读取结果全为擦除状态，则对下一组存储单元进行所述恢复读操作。
7.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，
所述恢复读操作模块还用于若所述恢复验证操作中，所述存储单元包括的存储单元的读取结果全为编程状态，则对下一组存储单元进行所述恢复读操作。
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