[发明专利]一种提升浅沟槽隔离填孔能力的沉积工艺在审
| 申请号： | 201711230523.5 | 申请日： | 2017-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN107731736A | 公开（公告）日： | 2018-02-23 |
| 发明（设计）人： | 刘力挽;张莉;张高升;万先进;蒋志超;詹昶;刘聪 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司11619 | 代理人： | 刘广达 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明一种提升浅沟槽隔离填孔能力的沉积工艺，所述工艺包括如下步骤；提供一硅衬底；在所述硅衬底上刻蚀形成浅沟槽隔离(STI)孔；在浅沟槽隔离(STI)孔表面沉积第一次二氧化硅薄层，所述第一次二氧化硅薄层没有填充满所述浅沟槽隔离孔；通过等离子工艺来修正浅沟槽隔离第一次二氧化硅薄层的角度以及轮廓，得到修正后的第一次二氧化硅薄层；形成完整填充，在所述修正后的第一次二氧化硅薄层上通过沉积第二次二氧化硅来填充孔中剩余空隙；形成浅沟槽隔离，采用高温退火使沉积的薄膜致密化。本发明方法可以消除STI填孔中的空洞；提升STI的隔离特性，保证器件的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提升 沟槽 隔离 能力 沉积 工艺 | ||
【主权项】：
一种提升浅沟槽隔离填孔能力的沉积工艺，其特征在于，所述工艺包括如下步骤；提供一硅衬底；刻蚀，具体为在所述硅衬底上刻蚀形成浅沟槽隔离(STI)孔；形成第一次二氧化硅薄层，在浅沟槽隔离(STI)孔表面沉积第一次二氧化硅薄层，所述第一次二氧化硅薄层没有填充满所述浅沟槽隔离孔；等离子体溅射修正，通过等离子工艺来修正浅沟槽隔离第一次二氧化硅薄层的角度以及轮廓，得到修正后的第一次二氧化硅薄层；形成完整填充，在所述修正后的第一次二氧化硅薄层上通过沉积第二次二氧化硅来填充孔中剩余空隙；形成浅沟槽隔离，采用高温退火使沉积的薄膜致密化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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