[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201711215095.9 | 申请日： | 2017-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN108231894B | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 陈奕升;黄思维;江宏礼;吴政宪;叶致锴 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 半导体器件包括：沟道层，设置在衬底上方；源极/漏极区，设置在衬底上方；栅极介电层，设置在沟道层上并且包裹每个沟道层；以及栅电极，设置在栅极介电层上并且包裹每个沟道层。每个沟道层包括由核心区和一个或多个壳区制成的半导体线。核心区具有近似方形截面，并且一个或多个壳区的第一壳在核心区周围形成近似菱形截面的第一壳区，并且连接至与相邻的半导体线对应的邻近的第一壳区。本发明的实施例还涉及半导体器件的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，包括：在第一方向上在衬底上方形成交替堆叠的第一半导体层和第二半导体层的多层结构；将所述多层结构图案化成鳍结构；在所述鳍结构上方形成牺牲栅极结构，所述牺牲栅极结构覆盖所述鳍结构的第一部分并且暴露所述鳍结构的第二部分，所述鳍结构的第一部分包括沟道区，并且所述鳍结构的第二部分包括源极/漏极区；在所述源极/漏极区中的所述鳍结构上形成外延源极/漏极结构；去除所述牺牲栅极结构以暴露所述沟道区；去除所述沟道区中的所述第二半导体层，从而暴露所述沟道区中的所述第一半导体层以在所述沟道区中形成间隔开的核心层；在所述沟道中的所述核心层周围至少部分地形成一个或多个半导体壳层以形成多层半导体线，所述多层半导体线的每个均包括由所述一个或多个半导体壳层至少部分地包裹的核心层；以及在所述沟道区中的所述多层半导体线周围形成栅极介电层和栅电极层。
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