[发明专利]一种改善锗硅源漏极形貌的制备方法

摘要

本发明公开了一种改善锗硅源漏极形貌的制备方法，包括以下步骤：提供一半导体基体，以及至少一个布置在位于第一浅槽隔离结构和第二浅槽隔离结构之间的半导体基体上方的栅极结构；形成掩膜层；刻蚀出沟槽；在所述掩膜层上形成一氧化物层；将所述氧化物层平坦化，并使所述掩膜层露出；并形成U型凹槽；刻蚀所述U型凹槽；在所述Σ结构凹槽的内部外延生长锗硅源漏极。本方法进行能够显著改善浅槽隔离边界结构区域锗硅生长形貌，增加浅槽隔离边界结构中锗硅对沟道的应力，能够有效提升浅槽隔离边界结构的器件性能，同时还能避免现有结构中容易出现的有源区的电流泄漏问题。

主权项

一种改善锗硅源漏极形貌的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1提供一半导体基体，在所述半导体基体的顶部刻蚀形成第一浅槽隔离结构和第二浅槽隔离结构，以及至少一个布置在位于第一浅槽隔离结构和第二浅槽隔离结构之间的半导体基体上方的栅极结构；S2在所述栅极结构的顶面和侧面以及所述半导体基体表面形成一掩膜层；S3在所述掩膜层相邻栅极结构之间刻蚀出沟槽并停止于掩膜层中；S4在所述掩膜层上形成一氧化物层；S5将所述氧化物层平坦化，并使所述掩膜层露出；S6在所述掩膜层表面形成一光刻阻挡层，并对所述沟槽位置图案化，并形成U型凹槽；S7去除光刻阻挡层；S8刻蚀所述U型凹槽，并形成不接触到所述第一浅槽隔离结构和第二浅槽隔离结构侧面的Σ结构凹槽；S9在所述Σ结构凹槽的内部外延生长锗硅源漏极。