[发明专利]集成电路装置在审

专利信息
申请号: 201711190625.9 申请日: 2017-11-24
公开(公告)号: CN109309089A 公开(公告)日: 2019-02-05
发明(设计)人: 江国诚;朱熙甯;潘冠廷;程冠伦;王志豪 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L27/088 分类号: H01L27/088;H01L29/78
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 徐金国
地址: 中国台湾新竹市*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 埋藏内连接线的各种具体例是在此被揭露。在一具体例中,一种集成电路装置包含设置在基材上的鳍片。鳍片包含主动装置。多个隔离特征是设置在基材上且在主动装置之下。内连接是设置在基材上且在多个隔离特征之间,以使内连接是在多个隔离特征的最高表面之下。内连接是电性耦合至主动装置。在一些此具体例中,主动装置的栅极堆叠是设置在主动装置的通道区域上,且主动装置的栅极堆叠是电性耦合至内连接。在一些此具体例中,源极/漏极接触窗是电性耦合至主动装置的源极/漏极区域,且源极/漏极接触窗是电性耦合至内连接。
搜索关键词: 主动装置 内连接 电性耦合 隔离特征 基材 集成电路装置 源极/漏极 栅极堆叠 接触窗 鳍片 源极/漏极区域 内连接线 通道区域 埋藏
【主权项】:
1.一种集成电路装置,其特征在于,包含:一鳍片,设置在一基材上,其中该鳍片包含一主动装置;多个隔离特征,设置在该基材上,且在该主动装置之下;以及一内连接,设置在该基材上,且在所述多个隔离特征之间,以使该内连接是在所述多个隔离特征的一最高表面之下,其中该内连接是电性耦合至该主动装置。
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