[发明专利]集成电路装置在审
| 申请号: | 201711190625.9 | 申请日: | 2017-11-24 |
| 公开(公告)号: | CN109309089A | 公开(公告)日: | 2019-02-05 |
| 发明(设计)人: | 江国诚;朱熙甯;潘冠廷;程冠伦;王志豪 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/088 | 分类号: | H01L27/088;H01L29/78 |
| 代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
| 地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | 埋藏内连接线的各种具体例是在此被揭露。在一具体例中,一种集成电路装置包含设置在基材上的鳍片。鳍片包含主动装置。多个隔离特征是设置在基材上且在主动装置之下。内连接是设置在基材上且在多个隔离特征之间,以使内连接是在多个隔离特征的最高表面之下。内连接是电性耦合至主动装置。在一些此具体例中,主动装置的栅极堆叠是设置在主动装置的通道区域上,且主动装置的栅极堆叠是电性耦合至内连接。在一些此具体例中,源极/漏极接触窗是电性耦合至主动装置的源极/漏极区域,且源极/漏极接触窗是电性耦合至内连接。 | ||
| 搜索关键词: | 主动装置 内连接 电性耦合 隔离特征 基材 集成电路装置 源极/漏极 栅极堆叠 接触窗 鳍片 源极/漏极区域 内连接线 通道区域 埋藏 | ||
【主权项】:
1.一种集成电路装置,其特征在于,包含:一鳍片,设置在一基材上,其中该鳍片包含一主动装置;多个隔离特征,设置在该基材上,且在该主动装置之下;以及一内连接,设置在该基材上,且在所述多个隔离特征之间,以使该内连接是在所述多个隔离特征的一最高表面之下,其中该内连接是电性耦合至该主动装置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





