[发明专利]一种改善层间介质研磨工艺厚度稳定性的方法有效
| 申请号： | 201711189813.X | 申请日： | 2017-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN107900788B | 公开（公告）日： | 2020-04-24 |
| 发明（设计）人： | 杨松波;邓建宁;何亮亮 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | B24B1/00 | 分类号： | B24B1/00 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种改善层间介质研磨工艺厚度稳定性的方法，应用于层间介质研磨系统，其特征在于，包括以下步骤：获取待研磨硅片的研磨前薄膜厚度及目标研磨厚度；依据所述研磨前薄膜厚度和所述目标研磨厚度获取理论研磨厚度；依据所述理论研磨厚度及一调整研磨差量确定研磨速率和研磨时间，所述调整研磨差量为之前硅片的研磨厚度与目标研磨厚度的差值，所述研磨时间为会随研磨垫的使用时间及修整盘的使用时间变化的量；依据所述层间介质研磨反馈系统给出的研磨硅片时间变化量及所述研磨时间调整后实际所需的研磨时间；依据所述实际所需的研磨时间执行层间介质研磨。有益效果：通过整合自动反馈系统和公式法，同时利用了两者的优点而摒弃了两者的缺点，大大提高层间介质薄膜厚度的稳定性，同时带来了各方面的收益。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 介质 研磨 工艺 厚度 稳定性 方法 | ||
【主权项】：
一种改善层间介质研磨工艺厚度稳定性的方法，应用于层间介质研磨系统，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1，获取待研磨硅片的研磨前薄膜厚度及目标研磨厚度；步骤S2，依据所述研磨前薄膜厚度和所述目标研磨厚度获取理论研磨厚度；步骤S3，依据所述理论研磨厚度及一调整研磨差量确定研磨速率和研磨时间，所述调整研磨差量为之前硅片的研磨厚度与目标研磨厚度的差值，所述研磨时间为会随研磨垫的使用时间及修整盘的使用时间变化的量；步骤S4，依据所述层间介质研磨反馈系统给出的研磨硅片时间变化量及所述研磨时间调整后实际所需的研磨时间；步骤S5，依据所述实际所需的研磨时间执行层间介质研磨。
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