[发明专利]一种改善层间介质研磨工艺厚度稳定性的方法有效
| 申请号: | 201711189813.X | 申请日: | 2017-11-24 |
| 公开(公告)号: | CN107900788B | 公开(公告)日: | 2020-04-24 |
| 发明(设计)人: | 杨松波;邓建宁;何亮亮 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号: | B24B1/00 | 分类号: | B24B1/00 |
| 代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 俞涤炯 |
| 地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 改善 介质 研磨 工艺 厚度 稳定性 方法 | ||
1.一种改善层间介质研磨工艺厚度稳定性的方法,应用于层间介质研磨系统,其特征在于,包括以下步骤:
步骤S1,获取待研磨硅片的研磨前薄膜厚度及目标研磨厚度;
步骤S2,依据所述研磨前薄膜厚度和所述目标研磨厚度获取理论研磨厚度;
步骤S3,依据所述理论研磨厚度及一调整研磨差量确定研磨速率和研磨时间,所述调整研磨差量为之前硅片的研磨厚度与目标研磨厚度的差值,所述研磨时间为会随研磨垫的使用时间及修整盘的使用时间变化的量;
步骤S4,依据所述层间介质研磨反馈系统给出的研磨硅片时间变化量及所述研磨时间调整实际所需的研磨时间;
步骤S5,依据所述实际所需的研磨时间执行层间介质研磨;
所述步骤S3中所述研磨时间包括第一研磨时间,所述第一研磨时间与所述研磨垫的使用时间相关,满足以下公式:
T1=a*P*P+b*P,
式中,T1为第一研磨时间,a为第一研磨时间的二次项系数,b为第一研磨时间的一次项系数,P为研磨垫的使用时间;和
所述研磨时间还包括第二研磨时间,所述第二研磨时间与所述修整盘的使用时间相关,满足以下公式:
T2=c*D*D+d*D,
式中,T2为第二研磨时间,c为第二研磨时间的二次项系数,d为第二研磨时间的一次项系数,D为修整盘的使用时间。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤S2中所述理论研磨厚度等于所述研磨前薄膜厚度减去所述目标研磨厚度。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述研磨时间还包括第三研磨时间,所述第三研磨时间为所述研磨垫的使用时间和所述修整盘的使用时间均为0时的研磨时间。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,实际所需的研磨量与所述实际所需的研磨时间具有以下关系:
其中,RAactual为实际所需的研磨量,RAideal为理论计算得出的研磨量,△RA为系统反馈时作为调整的研磨差量,T1为第一研磨时间,T2为第二研磨时间,T0为第三研磨时间。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,当所述第一研磨时间与所述第二研磨时间的和趋近于0时,所述实际所需的研磨量与所述实际所需的研磨时间具有以下关系:
RAactual=RAideal+△RA,
式中,RAactual为实际所需的研磨量,RAideal为理论计算得出的研磨量,△RA为系统反馈时作为调整的研磨差量。
6.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,当所述系统反馈时作为调整的研磨差量趋近于0时,所述实际所需的研磨量与所述实际所需的研磨时间具有以下关系:
式中,RAactual为实际所需的研磨量,RAideal为理论计算得出的研磨量,T为实际所需的研磨时间,T1为第一研磨时间,T2为第二研磨时间,T0为第三研磨时间。
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