[发明专利]一种焊垫结构的制备工艺

摘要

本发明提供了一种焊垫结构的制备工艺，通过采用具有高介电常数和优异沟道填充性能的有机聚合物来替代现有技术中的氧化硅钝化层来完成焊垫金属层刻蚀后的沟道填充和覆盖，来保护焊垫金属层来后续工艺不被破坏；因此省略了氧化物钝化层的沉积以及在焊垫金属层刻蚀后移除了顶层的氮化钛吸光层，并后续在露出焊垫金属层表面的步骤中，不再需要进行等离子干法刻蚀以去除氧化物和顶层氮化钛的处理；也因此不再需要后续的合金化处理来消除等离子干法刻蚀引起的PI层电荷集聚，这缩短了后段制备的周期，并大幅度减少了生产成本。

主权项

1.一种焊垫结构的制备工艺，其特征在于包括以下步骤：/n进行焊垫金属层的沉积，具体为，首先在金属层间介质层的表面依次沉积粘结层、金属层间隔离层、焊垫金属层和具有吸光层及光刻胶层的复合光刻层；/n进行光刻以去除待刻蚀区域的复合光刻层；/n进行刻蚀以形成焊垫金属层间的沟道，并随后去除光刻胶层；/n去除吸光层；/n进行应力缓冲层的沉积，所述应力缓冲层为聚酰亚胺(PI)；/n进行光刻以形成焊垫开口；/n进行应力缓冲层的烧烤固化；/n其中，在所述刻蚀以形成焊垫金属层间的沟道步骤之后，不存在形成钝化层的步骤。/n