[发明专利]一种焊垫结构的制备工艺有效

专利信息
申请号: 201711184324.5 申请日: 2017-11-23
公开(公告)号: CN107968056B 公开(公告)日: 2019-12-06
发明(设计)人: 胡小龙;高晶;毛晓明;叶伟 申请(专利权)人: 长江存储科技有限责任公司
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60
代理公司: 11619 北京辰权知识产权代理有限公司 代理人: 佟林松<国际申请>=<国际公布>=<进入
地址: 430074 湖北省武汉市洪山区东*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 结构 制备 工艺
【权利要求书】:

1.一种焊垫结构的制备工艺,其特征在于包括以下步骤:

进行焊垫金属层的沉积,具体为,首先在金属层间介质层的表面依次沉积粘结层、金属层间隔离层、焊垫金属层和具有吸光层及光刻胶层的复合光刻层;

进行光刻以去除待刻蚀区域的复合光刻层;

进行刻蚀以形成焊垫金属层间的沟道,并随后去除光刻胶层;

去除吸光层;

进行应力缓冲层的沉积,所述应力缓冲层为聚酰亚胺(PI);

进行光刻以形成焊垫开口;

进行应力缓冲层的烧烤固化;

其中,在所述刻蚀以形成焊垫金属层间的沟道步骤之后,不存在形成钝化层的步骤。

2.根据权利要求1所述的制备工艺,其特征在于:

所述粘结层为金属钛(Ti)。

3.根据权利要求1所述的制备工艺,其特征在于:

所述金属层间隔离层为氮化钛(TiN)。

4.根据权利要求1所述的制备工艺,其特征在于:

所述焊垫金属层为金属铝(Al)。

5.根据权利要求1所述的制备工艺,其特征在于:

所述吸光层为氮化钛(TiN)。

6.根据权利要求1所述的制备工艺,其特征在于:

所述进行应力缓冲层的沉积,是以聚酰亚胺覆盖焊垫金属层并填充焊垫金属层间的沟道。

7.根据权利要求1所述的制备工艺,其特征在于:

在所述进行应力缓冲层的烧烤固化步骤之后,不存在合金化的处理步骤。

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