[发明专利]一种新型低损耗射频微带结构制作方法

摘要

本发明提供了一种新型低损耗射频微带结构制作方法，应用于射频微波集成电路领域。本方法采用高阻硅和钛/镍/银的材料体系实现射频微带结构。该材料体系能满足制造过程与IC工艺的兼容从而大大降低了批量生产的成本，并缩短了生产周期。同时引入钝化层可以有效防止银的电迁移。而且银在该材料体系中比金和铜具有更低电阻率，使微带结构具有更小的传输损耗，即器件具有更小的插入损耗，从而提高了器件射频性能。

主权项

一种新型低损耗射频微带结构制作方法，应用于射频微波集成电路领域，其特征在于，提供一硅基底，包括以下步骤：步骤S1、对所述硅基底表面进行表面预处理；步骤S2、在所述硅基底正面表面形成一第一掩膜层，图案化所述第一掩膜层，形成工艺窗口；步骤S3、在所述第一掩膜层表面和所述硅基底表面形成一金属叠层；步骤S4、去除所述第一掩膜层；步骤S5、在所述金属叠层表面和所述硅基底表面形成一钝化层；随后，在所述钝化层表面形成一第二掩膜层，图案化所述第二掩膜层，在所述金属叠层作为焊盘的位置形成工艺窗口；步骤S6、通过所述第二掩膜层对所述钝化层进行刻蚀，露出所述金属叠层；随后，去除所述第二掩膜层；步骤S7、对所述硅基底反面进行减薄处理；步骤S8、在减薄后的所述硅基底反面形成一金属层。