[发明专利]一种新型低损耗射频微带结构制作方法

权利要求书

1.一种新型低损耗射频微带结构制作方法，应用于射频微波集成电路领域，其特征在于，提供一硅基底，包括以下步骤：

步骤S1、对所述硅基底表面进行表面预处理；

步骤S2、在所述硅基底正面表面形成一第一掩膜层，图案化所述第一掩膜层，形成工艺窗口；

步骤S3、在所述第一掩膜层表面和所述硅基底表面形成一金属叠层；

步骤S4、去除所述第一掩膜层；

步骤S5、在所述金属叠层表面和所述硅基底表面形成一钝化层；随后，在所述钝化层表面形成一第二掩膜层，图案化所述第二掩膜层，在所述金属叠层作为焊盘的位置形成工艺窗口；

步骤S6、通过所述第二掩膜层对所述钝化层进行刻蚀，露出所述金属叠层；随后，去除所述第二掩膜层；

步骤S7、对所述硅基底反面进行减薄处理；

步骤S8、在减薄后的所述硅基底反面形成一金属层。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，步骤S1中所述表面预处理方式为使用盐酸或H₂SO₄+H₂O₂的混合溶液对所述硅基底表面进行清洗。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一掩膜层为光刻胶，所述光刻胶采用负性光刻胶或反转胶，且所述光刻胶厚度大于5微米。

4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述步骤S3中形成金属叠层的方法为在所述第一掩膜层表面和所述硅基底表面依次蒸镀金属钛、镍、银，所述蒸镀时真空度小于10^-5Pa，所述蒸镀厚度大于3微米。

5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述去除第一掩膜层的方法为使用N-甲基吡咯烷酮(NMP)对所述第一掩膜层进行浸泡。

6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述钝化层的材质为氧化硅或者氮化硅。

7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述金属层与所述金属叠层相同。

8.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述步骤S2中形成的工艺窗口为倒梯形结构。

9.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述新型低损耗射频微带结构的最终结构自上而下依次包括一所述钝化层，一所述金属叠层，一所述硅基底，一所述金属层。