[发明专利]半导体晶圆加工系统及加工半导体晶圆的方法有效
申请号: | 201711172514.5 | 申请日: | 2017-11-22 |
公开(公告)号: | CN109817545B | 公开(公告)日: | 2021-07-16 |
发明(设计)人: | 苏奕龙;廖见桂;李荣伟 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 李昕巍;章侃铱 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本申请实施例提供一种半导体晶圆加工系统及加工半导体晶圆的方法。半导体晶圆加工系统包括沿一长轴延伸的一加工腔。半导体晶圆加工系统还包括位于加工腔内的一绝缘组件。半导体晶圆加工系统也包括位于加工腔内并沿平行长轴的方向延伸的一喷气管。喷气管包括一加工区段,且多个喷气孔形成于加工区段内。另外,半导体晶圆加工系统包括连结加工腔的一排气端。半导体晶圆加工系统还包括设置于绝缘组件上并位于喷气管与排气端之间的一晶舟。晶舟包括配置用于乘载多个半导体晶圆的多个槽状结构。位于加工区段内的排气孔对齐槽状结构设置。 | ||
搜索关键词: | 半导体 加工 系统 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体晶圆加工系统,包括:一加工腔,沿一长轴延伸;一绝缘组件,位于该加工腔内;一喷气管,位于该加工腔内并沿平行该长轴的方向延伸,其中该喷气管包括一加工区段,且多个喷气孔形成于该加工区段内;一排气端,连结该加工腔;以及一晶舟,设置于该绝缘组件上并位于该喷气管与该排气端之间,其中该晶舟包括配置用于乘载多个半导体晶圆的多个槽状结构,并且位于该加工区段内的所述排气孔对齐所述槽状结构设置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造