[发明专利]半导体晶圆加工系统及加工半导体晶圆的方法

说明书

本申请实施例提供一种半导体晶圆加工系统及加工半导体晶圆的方法。半导体晶圆加工系统包括沿一长轴延伸的一加工腔。半导体晶圆加工系统还包括位于加工腔内的一绝缘组件。半导体晶圆加工系统也包括位于加工腔内并沿平行长轴的方向延伸的一喷气管。喷气管包括一加工区段，且多个喷气孔形成于加工区段内。另外，半导体晶圆加工系统包括连结加工腔的一排气端。半导体晶圆加工系统还包括设置于绝缘组件上并位于喷气管与排气端之间的一晶舟。晶舟包括配置用于乘载多个半导体晶圆的多个槽状结构。位于加工区段内的排气孔对齐槽状结构设置。

技术领域

本发明实施例涉及一种半导体晶圆加工系统及加工半导体晶圆的方法，特别涉及一种锅炉设备及利用该锅炉设备加工半导体晶圆的方法。

背景技术

半导体装置被用于多种电子应用，例如个人电脑、移动电话、数码相机以及其他电子设备。半导体装置的制造通常是通过在半导体基板上按序沉积绝缘或介电层材料、导电层材料以及半导体层材料，接着使用微影制程图案化所形成的各种材料层，以形成电路组件和零件于此半导体基板之上。随着集成电路之材料及其设计上的技术进步，已发展出多个世代的集成电路。相较于前一个世代，每一世代具有更小且更复杂的电路。然而，这些发展提升了加工及制造集成电路的复杂度。为了使这些发展得以实现，在集成电路的制造以及生产上相似的发展也是必须的。

在半导体装置的制造中，多个制程步骤是被使用以制造集成电路在半导体晶圆之上。在持续演进至更小体积以及更高电路密度的发展中，多个困难变因之一为连续性地在既定的误差范围中形成具有更小关键尺寸的电路。举例而言，可流动式化学气像沉积(FCVD)为一种化学气相沉积技术(Chemical Vapor Deposition，CVD)，其与传统的CVD技术相比，可以填充细小尺寸的孔隙，包括深宽比高达30：1，以及非常不规则或相当复杂的剖面。故近年来流动式化学气像沉积制程被广泛应用。为了实现良好的薄膜质量，FCVD薄膜通常更进一步进行热退火(thermal annealing)制程，以使其致密化。

虽然现有的热退火制程及设备已经足以应付其需求，然而仍未全面满足。因此，需要提供一种改善热退火制程的良率的方案。

发明内容

本发明实施例提供一种晶圆加工系统。加工系统包括一管体及一盖体。管体沿一长轴自一下端部延伸至一上端部。盖体连结管体的下端部。加工系统还包括绝缘组件。绝缘组件位于管体内并设置于盖体上。加工系统也包括喷气管。喷气管位于管体内并沿平行长轴的方向延伸。喷气管包括一加工区段。多个喷气孔形成于加工区段内。另外，加工系统包括一排气端及一晶舟。排气端连结管体。晶舟设置于绝缘组件上并位于喷气管与排气端之间。晶舟包括配置用于乘载多个半导体晶圆的多个槽状结构。位于加工区段内的排气孔对齐槽状结构设置。

本发明实施例提供一种加工半导体晶圆的方法。上述方法包括放置多个半导体晶圆至一锅炉设备内。上述方法还包括在一制程压力下加热所述半导体晶圆。制程压力介于约96000Pa至约100000Pa之间。上述方法也包括通过一喷气管相对半导体晶圆供应一净化气体。喷气管包括一加工区段，且多个喷气孔形成于加工区段内。喷气孔朝相邻两个半导体晶圆之间的每一个间隙供应净化气体。

附图说明

图1显示本发明部分实施例的一加工系统的方框图。

图2显示本发明部分实施例的一锅炉设备的剖面示意图。

图3显示本发明部分实施例的一锅炉设备的部分元件的剖面示意图。

图4显示本发明部分实施例一锅炉设备的部分元件的上视示意图。

图5显示本发明部分实施例加工半导体晶圆的方法的流程图。

图6显示本发明部分实施例的加工半导体晶圆的方法的剖面示意图。

图7显示本发明部分实施例中通过半导体晶圆的净化气体的流速与半导体晶圆所在槽状结构的位置的关系图。