[发明专利]一种改善一体化刻蚀聚集残留缺陷的方法

摘要

本发明公开了一种改善一体化刻蚀聚集残留缺陷的方法，包括步骤S1：在半导体结构置于等离子体反应腔体前，清除等离子体反应腔体的表面的聚合物残留；步骤S2：调控等离子反应腔体的工艺压力和气体流量达到刻蚀状态的稳定条件；步骤S3：将半导体结构置于等离子体反应腔体内，并进行一体化刻蚀。本发明在晶圆置于前增加前清洁步骤，采用无晶圆干法清洗工艺并进行抽真空处理以清除刻蚀腔体内的聚合物残留。本发明通过在无晶圆干法清洗工艺和刻蚀工艺之间增加缓冲工艺，使腔体内的压力和气体流量与刻蚀要求的压力和气体流量相同，使APC的机械摆动最小，避免由于APC的大幅机械运动导致的缺陷。

主权项

一种改善一体化刻蚀聚集残留缺陷的方法，包括一用于刻蚀工艺的等离子体反应腔体和一需要刻蚀工艺的半导体结构，其特征在于，所述方法包括：步骤S1：在所述半导体结构置于所述等离子体反应腔体前，清除所述等离子体反应腔体的表面的聚合物残留；步骤S2：调控所述等离子反应腔体的工艺压力和气体流量达到刻蚀状态的稳定条件；步骤S3：将所述半导体结构置于所述等离子体反应腔体内，并进行一体化刻蚀。