[发明专利]一种改善一体化刻蚀聚集残留缺陷的方法有效
| 申请号： | 201711172098.9 | 申请日： | 2017-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN107833830B | 公开（公告）日： | 2021-03-12 |
| 发明（设计）人： | 周磊;聂钰节;昂开渠;江旻;任昱;朱俊;张旭升 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改善 一体化 刻蚀 聚集 残留 缺陷 方法 | ||
1.一种改善一体化刻蚀聚集残留缺陷的方法，包括一用于刻蚀工艺的等离子体反应腔体和一需要刻蚀工艺的半导体结构，其特征在于，所述方法包括：
步骤S1：在所述半导体结构置于所述等离子体反应腔体前，清除所述等离子体反应腔体的表面的聚合物残留；
步骤S2：调控所述等离子反应腔体的工艺压力和气体流量达到刻蚀状态的稳定条件；
步骤S3：将所述半导体结构置于所述等离子体反应腔体内，并进行一体化刻蚀。
2.根据权利要求1所述的改善一体化刻蚀聚集残留缺陷的方法，其特征在于，在所述步骤S1中，采用无晶圆干法清洗工艺清除所述等离子体反应腔体的表面的聚合物残留。
3.根据权利要求2所述的改善一体化刻蚀聚集残留缺陷的方法，其特征在于，所述方法包括：
步骤S1.1：对所述等离子体反应腔体进行抽真空处理。
4.根据权利要求1所述的改善一体化刻蚀聚集残留缺陷的方法，其特征在于，在所述步骤S2中，通过调控所述等离子体反应腔体的伺服压力控制阀的阀度控制所述等离子反应腔体的工艺压力和气体流量。
5.根据权利要求1所述的改善一体化刻蚀聚集残留缺陷的方法，其特征在于，在所述步骤S2中，调控所述等离子体反应腔体的工艺压力使之与所述刻蚀状态下的工艺压力一致，调控所述等离子体反应腔体的气体流量使之与所述刻蚀状态下的气体流量一致。
6.根据权利要求1所述的改善一体化刻蚀聚集残留缺陷的方法，其特征在于，所述工艺压力为80mT。
7.根据权利要求1所述的改善一体化刻蚀聚集残留缺陷的方法，其特征在于，所述气体流量为300Sccm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
