[发明专利]一种稀磁半导体材料制备方法在审
| 申请号： | 201711171267.7 | 申请日： | 2017-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN107833727A | 公开（公告）日： | 2018-03-23 |
| 发明（设计）人： | 杨晓艳 | 申请（专利权）人： | 杨晓艳 |
| 主分类号： | H01F1/40 | 分类号： | H01F1/40;H01F41/02 |
| 代理公司： | 北京远智汇知识产权代理有限公司11659 | 代理人： | 徐鹏飞 |
| 地址： | 214000 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种稀磁半导体材料的制备方法包括，在衬底材料上制备外延层，得到基底材料，然后将基底材料置于高能离子注入机中，以第一能量和第一剂量将第一离子注入到外延层中，再以第二能量和第二剂量将第二离子注入到外延层中，得到掺杂材料，最后将掺杂材料置于快速退火炉中，以第一温度退火至第一时间。相对于现有技术中的单一能态的离子注入法，本发明采用双能太离子注入，以不同的能量和剂量向半导体衬底中注入离子，能够改善磁性离子在稀磁半导体薄膜的纵向方向分布的均匀程度，使用更低剂量的磁性离子就可以获得更优异的铁磁性，使稀磁半导体材料在分立器件和集成电路中获得更广泛的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种稀磁半导体材料制备方法，其特征在于，包括：提供衬底材料，在所述衬底材料上制备外延层，得到基底材料；将所述基底材料置于高能离子注入机中，以第一能量和第一剂量将第一离子注入到所述外延层中；以第二能量和第二剂量将第二离子注入到所述外延层中，得到掺杂材料；将所述掺杂材料置于快速退火炉中，以第一温度退火至第一时间。
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