[发明专利]一种稀磁半导体材料制备方法在审
| 申请号： | 201711171267.7 | 申请日： | 2017-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN107833727A | 公开（公告）日： | 2018-03-23 |
| 发明（设计）人： | 杨晓艳 | 申请（专利权）人： | 杨晓艳 |
| 主分类号： | H01F1/40 | 分类号： | H01F1/40;H01F41/02 |
| 代理公司： | 北京远智汇知识产权代理有限公司11659 | 代理人： | 徐鹏飞 |
| 地址： | 214000 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体材料 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种稀磁半导体材料制备方法，其特征在于，包括：
提供衬底材料，在所述衬底材料上制备外延层，得到基底材料；
将所述基底材料置于高能离子注入机中，以第一能量和第一剂量将第一离子注入到所述外延层中；
以第二能量和第二剂量将第二离子注入到所述外延层中，得到掺杂材料；
将所述掺杂材料置于快速退火炉中，以第一温度退火至第一时间。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述衬底材料可以是蓝宝石衬底材料。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述外延层可以是氮化镓材料。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述第一能量为150～250keV，所述第一剂量为1×1014～1×1015/cm2，所述第一离子为稀土元素离子。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述第二能量为300～450keV，所述第二剂量为1×1014～1×1015/cm2，所述第二离子为稀土元素离子，过渡族金属离子或非金属离子。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述第一温度为600～900℃，所述第一时间为1～5分钟。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将所述掺杂材料置于快速退火炉中，以第一温度退火至第一时间具体包括：
将所述掺杂材料置于快速退火炉中，向所述快速退火炉中通入氮气至快速退火炉中的空气排净；
输入退火参数，以第一温度退火至第一时间。
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