[发明专利]背沟道蚀刻型TFT基板及其制作方法

摘要

本发明提供一种背沟道蚀刻型TFT基板及其制作方法。本发明的背沟道蚀刻型TFT基板的制作方法将源极与漏极的表层设置为导体化IGZO膜层，由于导体化IGZO膜层与氧化硅之间的结合力较强，因此可以避免钝化层出现鼓泡和翘起现象；另外，在源极与漏极的制作过程中采用无氟蚀刻液对源极与漏极之间的间隔区进行蚀刻去除，不会对有源层的沟道区造成损害。本发明的背沟道蚀刻型TFT基板将源极与漏极的表层设置为导体化IGZO膜层，由于导体化IGZO膜层与氧化硅之间的结合力较强，因此不会出现钝化层鼓泡和翘起的现象。

主权项

一种背沟道蚀刻型TFT基板的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上沉积金属材料并刻蚀形成栅极(20)，在所述衬底基板(10)及栅极(20)上形成栅极绝缘层(30)；在所述栅极绝缘层(30)上形成有源层(40)；在所述有源层(40)与栅极绝缘层(30)上沉积源漏极材料层(70)，所述源漏极材料层(70)包括设于所述有源层(40)与栅极绝缘层(30)上的第一源漏极材料层(41)、设于所述第一源漏极材料层(41)上的第二源漏极材料层(42)以及设于所述第二源漏极材料层(42)上的第三源漏极材料层(43)，所述第一源漏极材料层(41)的材料包括钼，所述第二源漏极材料层(42)的材料包括铜，所述第三源漏极材料层(43)为导体化IGZO膜层；在源漏极材料层(70)上定义出源漏极图案区(71)与设于所述源漏极图案区(71)周围的非图案区(72)，其中，所述源漏极图案区(71)包括源极预定图案区(711)、漏极预定图案区(712)及位于源极预定图案区(711)与漏极预定图案区(712)之间的源漏极间隔区(713)；在所述源漏极材料层(70)上形成光阻层(80)，采用半色调掩膜板(90)对所述光阻层(80)进行图形化处理，去除所述光阻层(80)上对应于非图案区(72)的部分，使所述光阻层(80)上对应于源漏极间隔区(713)的部分的厚度减薄；采用含氟蚀刻液对所述源漏极材料层(70)的非图案区(72)进行蚀刻去除；对剩余的光阻层(80)进行灰化处理，去除所述光阻层(80)上对应于源漏极间隔区(713)的部分，使所述光阻层(80)上对应于所述源极预定图案区(711)与漏极预定图案区(712)的部分的厚度减薄；采用无氟蚀刻液对所述源漏极材料层(70)的源漏极间隔区(713)进行蚀刻去除；所述无氟蚀刻液对IGZO的蚀刻速度小于所述含氟蚀刻液对IGZO的蚀刻速度；剥离剩余的光阻层(80)，得到间隔设置的源极(51)与漏极(52)；在所述源极(51)、漏极(52)、有源层(40)及栅极绝缘层(30)上形成钝化层(60)。