[发明专利]背沟道蚀刻型TFT基板及其制作方法

权利要求书

1.一种背沟道蚀刻型TFT基板的制作方法，其特征在于，包括：

提供衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上沉积金属材料并刻蚀形成栅极(20)，在所述衬底基板(10)及栅极(20)上形成栅极绝缘层(30)；

在所述栅极绝缘层(30)上形成有源层(40)；

在所述有源层(40)与栅极绝缘层(30)上沉积源漏极材料层(70)，所述源漏极材料层(70)包括设于所述有源层(40)与栅极绝缘层(30)上的第一源漏极材料层(41)、设于所述第一源漏极材料层(41)上的第二源漏极材料层(42)以及设于所述第二源漏极材料层(42)上的第三源漏极材料层(43)，所述第一源漏极材料层(41)的材料包括钼，所述第二源漏极材料层(42)的材料包括铜，所述第三源漏极材料层(43)为导体化IGZO膜层；

在源漏极材料层(70)上定义出源漏极图案区(71)与设于所述源漏极图案区(71)周围的非图案区(72)，其中，所述源漏极图案区(71)包括源极预定图案区(711)、漏极预定图案区(712)及位于源极预定图案区(711)与漏极预定图案区(712)之间的源漏极间隔区(713)；

在所述源漏极材料层(70)上形成光阻层(80)，采用半色调掩膜板(90)对所述光阻层(80)进行图形化处理，去除所述光阻层(80)上对应于非图案区(72)的部分，使所述光阻层(80)上对应于源漏极间隔区(713)的部分的厚度减薄；

采用含氟蚀刻液对所述源漏极材料层(70)的非图案区(72)进行蚀刻去除；

对剩余的光阻层(80)进行灰化处理，去除所述光阻层(80)上对应于源漏极间隔区(713)的部分，使所述光阻层(80)上对应于所述源极预定图案区(711)与漏极预定图案区(712)的部分的厚度减薄；

采用无氟蚀刻液对所述源漏极材料层(70)的源漏极间隔区(713)进行蚀刻去除；所述无氟蚀刻液对IGZO的蚀刻速度小于所述含氟蚀刻液对IGZO的蚀刻速度；

剥离剩余的光阻层(80)，得到间隔设置的源极(51)与漏极(52)；

在所述源极(51)、漏极(52)、有源层(40)及栅极绝缘层(30)上形成钝化层(60)。

2.如权利要求1所述的背沟道蚀刻型TFT基板的制作方法，其特征在于，所述导体化IGZO膜层的制备方法为磁控溅射，磁控溅射过程中，反应腔体内不添加氧气，得到的导体化IGZO膜层中铟镓锌氧的摩尔比为In：Ga：Zn：O＝1：1：1：X，其中X小于4。

3.如权利要求1所述的背沟道蚀刻型TFT基板的制作方法，其特征在于，所述栅极(20)包括设于所述衬底基板(10)上的第一栅极层(21)与设于所述第一栅极层(21)上的第二栅极层(22)，所述第一栅极层(21)的材料包括钼，所述第二栅极层(22)的材料包括铜。

4.如权利要求1所述的背沟道蚀刻型TFT基板的制作方法，其特征在于，所述有源层(40)的材料包括铟镓锌氧化物。

5.如权利要求1所述的背沟道蚀刻型TFT基板的制作方法，其特征在于，所述钝化层(60)的材料包括氧化硅。

6.一种背沟道蚀刻型TFT基板，其特征在于，包括：衬底基板(10)、设于所述衬底基板(10)上的栅极(20)、设于所述衬底基板(10)及栅极(20)上的栅极绝缘层(30)、设于所述栅极绝缘层(30)上的有源层(40)、设于所述有源层(40)上且间隔设置的源极(51)与漏极(52)以及设于所述源极(51)、漏极(52)、有源层(40)及栅极绝缘层(30)上的钝化层(60)；

所述源极(51)与漏极(52)由源漏极材料层(70)图案化形成，所述源漏极材料层(70)包括设于所述有源层(40)上的第一源漏极材料层(41)、设于所述第一源漏极材料层(41)上的第二源漏极材料层(42)以及设于所述第二源漏极材料层(42)上的第三源漏极材料层(43)，所述第一源漏极材料层(41)的材料包括钼，所述第二源漏极材料层(42)的材料包括铜，所述第三源漏极材料层(43)为导体化IGZO膜层。

7.如权利要求6所述的背沟道蚀刻型TFT基板，其特征在于，所述导体化IGZO膜层中铟镓锌氧的摩尔比为In：Ga：Zn：O＝1：1：1：X，其中X小于4。