[发明专利]一种霍尔元件的制备方法在审
| 申请号： | 201711166888.6 | 申请日： | 2017-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN107978672A | 公开（公告）日： | 2018-05-01 |
| 发明（设计）人： | 何渊;胡双元 | 申请（专利权）人： | 苏州矩阵光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/14 | 分类号： | H01L43/14;H01L43/04 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司11250 | 代理人： | 张建纲 |
| 地址： | 215614 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种霍尔元件的制备方法，该方法包括如下步骤在铜箔基底上旋涂一层光刻胶再覆盖掩膜版曝光显影，对基底进行刻蚀；将铜箔基底放入化学气相沉积反应室，通入甲烷和氢气形成石墨烯；石墨烯通过鼓泡法转移至Si衬底上形成有源区；在Si衬底和石墨烯表面整体生长一层钝化层；对钝化层开口后蒸镀金属，作为激励和输出电极。本发明通过对石墨烯生长的金属基底预处理可直接生成有源区形状，并在石墨烯转移至硅衬底后，通过优先钝化再开口蒸镀电极，避免了石墨烯接触相关有机溶剂而造成性能降低，大大提高了工艺良品率及器件性能；此外，该方法步骤简单，适用于工业生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 霍尔 元件 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种霍尔元件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、在铜箔基底(8)上旋涂一层光刻胶再覆盖掩膜版曝光显影，对所述铜箔基底(8)进行刻蚀；S2、将所述铜箔基底(8)放入化学气相沉积反应室，通入甲烷和氢气形成石墨烯(2)；S3、通过鼓泡法将所述石墨烯(2)转移至Si衬底(1)上形成有源区；S4、在所述Si衬底(1)和所述石墨烯(2)表面整体生长一层钝化层(7)；S5、对所述钝化层(7)开口后蒸镀金属，以形成霍尔元件的电流电压激励输入电极(3)、电流电压激励输出电极(4)以及第一霍尔电压输出电极(5)、第二霍尔电压输出电极(6)。
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