[发明专利]一种霍尔元件的制备方法在审
| 申请号： | 201711166888.6 | 申请日： | 2017-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN107978672A | 公开（公告）日： | 2018-05-01 |
| 发明（设计）人： | 何渊;胡双元 | 申请（专利权）人： | 苏州矩阵光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/14 | 分类号： | H01L43/14;H01L43/04 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司11250 | 代理人： | 张建纲 |
| 地址： | 215614 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 霍尔 元件 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种霍尔元件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1、在铜箔基底(8)上旋涂一层光刻胶再覆盖掩膜版曝光显影，对所述铜箔基底(8)进行刻蚀；
S2、将所述铜箔基底(8)放入化学气相沉积反应室，通入甲烷和氢气形成石墨烯(2)；
S3、通过鼓泡法将所述石墨烯(2)转移至Si衬底(1)上形成有源区；
S4、在所述Si衬底(1)和所述石墨烯(2)表面整体生长一层钝化层(7)；
S5、对所述钝化层(7)开口后蒸镀金属，以形成霍尔元件的电流电压激励输入电极(3)、电流电压激励输出电极(4)以及第一霍尔电压输出电极(5)、第二霍尔电压输出电极(6)。
2.根据权利要求1所述的霍尔元件的制备方法，其特征在于，所述铜箔基底(8)上刻蚀出的形状为十字状。
3.根据权利要求1所述的霍尔元件的制备方法，其特征在于，所述石墨烯(2)为单层或多层石墨烯。
4.根据权利要求1所述的霍尔元件的制备方法，其特征在于，所述Si衬底(1)表面覆有SiO2层，所述Si衬底(1)为绝缘衬底。
5.根据权利要求1所述的霍尔元件的制备方法，其特征在于，所述钝化层(7)的材料为SiO2或SiNx。
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