[发明专利]一种掺杂稀土氧化物的Mo-Si-B合金及其制备方法有效
申请号: | 201711165442.1 | 申请日: | 2017-11-21 |
公开(公告)号: | CN108034875B | 公开(公告)日: | 2020-03-31 |
发明(设计)人: | 张国君;李瑞;陈璇;王娟 | 申请(专利权)人: | 西安理工大学 |
主分类号: | C22C27/04 | 分类号: | C22C27/04;C22C1/05;C22C1/10 |
代理公司: | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人: | 韩玙 |
地址: | 710048*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: |
本发明具体涉及一种掺杂稀土氧化物的Mo‑Si‑B合金,包括α‑Mo、Mo |
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搜索关键词: | 一种 掺杂 稀土 氧化物 mo si 合金 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种掺杂稀土氧化物的Mo-Si-B合金,其特征在于,包括α-Mo、Mo3 Si、Mo5 SiB2 和稀土氧化物,所述α-Mo的晶粒按照体积分数计,包括10%-25%微米尺度的α-Mo晶粒,60%-70%的亚微米尺度的α-Mo晶粒,5%-30%的纳米尺度的α-Mo晶粒,所述微米尺度的α-Mo晶粒分布在亚微米尺度α-Mo晶粒内或者分布在纳米尺度α-Mo晶粒内;Mo3 Si的晶粒和Mo5 SiB2 的晶粒均为亚微米尺度,且Mo3 Si的晶粒和Mo5 SiB2 的晶粒均分布在α-Mo晶粒内;所述稀土氧化物,按照体积分数计,包括10-30%的亚微米尺度的稀土氧化物和70-90%的纳米尺度的稀土氧化物,且所述稀土氧化物颗粒分布于α-Mo、Mo3 Si和Mo5 SiB2 的晶内和晶界。
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