[发明专利]半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201711159622.9 | 申请日： | 2017-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN108172632A | 公开（公告）日： | 2018-06-15 |
| 发明（设计）人： | 户川勤博;副岛成雅;水野祥司 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/265;H01L21/329 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 高培培;车文 |
| 地址： | 日本爱知*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种抑制肖特基电极的势垒高度的偏差的半导体装置的制造方法。半导体装置的制造方法具有：向SiC晶圆的表面注入含氧的带电粒子的工序；及在注入了所述带电粒子之后，在所述表面上形成相对于所述SiC晶圆进行肖特基接触的肖特基电极的工序。通过注入含氧的带电粒子，能够准确地控制肖特基界面的氧量。由此，能够准确地控制势垒高度。 1 | ||
| 搜索关键词： | 半导体装置 带电粒子 肖特基电极 含氧 晶圆 势垒 制造 肖特基接触 肖特基 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，具有：
向SiC晶圆的表面注入含氧的带电粒子的工序；及
在注入了所述带电粒子之后，在所述表面上形成相对于所述SiC晶圆进行肖特基接触的肖特基电极的工序。
2.根据权利要求1所述的制造方法，在注入所述带电粒子的工序中，通过离子注入法来向所述表面注入所述带电粒子。
3.根据权利要求1所述的制造方法，在注入所述带电粒子的工序中，通过使所述表面曝露于含氧的等离子体来向所述表面注入所述带电粒子。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的制造方法，在注入所述带电粒子的工序中，向多个所述SiC晶圆以氧的注入量针对每个所述SiC晶圆不同的方式注入所述带电粒子，
形成所述肖特基电极的工序具有：
安设工序，在具有加载互锁真空室和成膜室的电极形成装置的所述加载互锁真空室内安设多个所述SiC晶圆；及
处理工序，在对所述加载互锁真空室和所述成膜室进行了减压的状态下，反复进行将多个所述SiC晶圆中的一部分从所述加载互锁真空室向所述成膜室运送并且在运送到所述成膜室内的所述SiC晶圆的所述表面上形成所述肖特基电极的处理，
在所述处理工序中，先从氧的注入量少的所述SiC晶圆开始形成所述肖特基电极。
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