[发明专利]半导体装置的制造方法

说明书

本发明提供一种抑制肖特基电极的势垒高度的偏差的半导体装置的制造方法。半导体装置的制造方法具有：向SiC晶圆的表面注入含氧的带电粒子的工序；及在注入了所述带电粒子之后，在所述表面上形成相对于所述SiC晶圆进行肖特基接触的肖特基电极的工序。通过注入含氧的带电粒子，能够准确地控制肖特基界面的氧量。由此，能够准确地控制势垒高度。

技术领域

本说明书公开的技术涉及半导体装置的制造方法。

背景技术

专利文献1公开了在SiC晶圆(以SiC(碳化硅)为主材料的半导体晶圆)的表面上形成肖特基电极的技术。在该技术中，肖特基电极的与SiC晶圆接触的部分由金属氧化物构成。根据该技术，能够提高肖特基电极的势垒高度。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2010-225877号公报

发明内容

发明要解决的课题

肖特基电极的势垒高度根据在肖特基电极与SiC晶圆的界面(以下，称为肖特基界面)处存在的氧量而变化。在如专利文献1那样形成金属氧化物的技术中，无法准确地控制存在于肖特基界面的氧量。因此，在专利文献1的技术中，在量产半导体装置时，存在肖特基电极的势垒高度的偏差大这一问题。

用于解决课题的方案

在本说明书公开的技术中，具有：向SiC晶圆的表面注入含氧的带电粒子的工序；及在注入了所述带电粒子之后，在所述表面上形成相对于所述SiC晶圆进行肖特基接触的肖特基电极的工序。

在该制造方法中，将含氧的带电粒子向SiC晶圆的表面注入，然后在该表面上形成肖特基电极。因此，注入到SiC晶圆的表面的氧会向肖特基界面取入。根据该方法，能够准确地控制存在于肖特基界面的氧量。因此，根据该方法，在半导体装置的量产时，能够抑制肖特基电极的势垒高度的偏差。

附图说明

图1是表示实施例1的制造方法的流程图。

图2是SiC晶圆的剖视图。

图3是离子注入装置的概略图。

图4是SiC晶圆的剖视图。

图5是表示实施例2的制造方法的流程图。

图6是等离子体照射装置的概略图。

图7是表示实施例3的制造方法的流程图。

图8是电极形成装置的概略图。

具体实施方式

实施例1

在实施例1中，制造具有肖特基电极的半导体装置。制造的半导体装置可以是肖特基势垒二极管(以下，称为SBD)，也可以是将SBD与其他的半导体元件组合而成的半导体装置，还可以是具有肖特基电极的其他的半导体装置。图1是表示实施例1的半导体装置的制造方法的流程图。

在步骤S2中，在SiC晶圆的内部形成半导体元件构造。

在步骤S4中，如图2所示，在SiC晶圆12的下表面12b形成欧姆电极14。