[发明专利]场效应晶体管结构及其制备方法

摘要

本发明提供一种场效应晶体管结构及制备方法，制备包括提供基底，于基底表面沉积由至少一层第一材料层及至少一层第二材料层；定义有源区和浅沟槽隔离区；刻蚀有源区形成沟道区及源区和漏区；腐蚀沟道区内的第一材料层或第二材料层，得到至少一条纳米线沟道；于纳米线沟道表面沉积介质层和栅极结构层；于栅极结构层、源区以及漏区表面制作栅电极、源电极以及漏电极，完成所述场效应晶体管的制备。通过上述方案，以堆叠的Si或SiGe材料层形成三维堆叠的环栅纳米线沟道，在相同的平面区域上，增加沟道截面积，增强器件的性能，增强栅控能力并增强器件的稳定性，在减小器件尺寸的同时增强载流子输运能力、提高器件性能，省略源漏掺杂步骤，工艺过程简单。

主权项

一种场效应晶体管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1)提供一基底，并于所述基底表面沉积由至少一层第一材料层及至少一层第二材料层交替叠置的叠层材料层，且所述第一材料层与所述第二材料层的材料不同；2)于所述叠层材料层内定义有源区，并形成环绕所述有源区且贯穿所述叠层材料层上下表面的浅沟槽隔离区；3)刻蚀所述有源区以形成沟道区以及分别连接于所述沟道区两端的源区和漏区；4)腐蚀步骤3)得到的结构，去除所述沟道区内的所述第一材料层或所述第二材料层，以得到至少一条纳米线沟道；5)至少于所述纳米线沟道表面沉积一层介质层，并于所述介质层表面形成栅极结构层，其中，所述介质层的上表面高于所述叠层材料层的上表面，且当形成多条所述纳米线沟道时，相邻所述纳米线沟道表面的所述介质层不连通；以及6)于所述栅极结构层表面、所述源区表面以及所述漏区表面分别制作栅电极、源电极以及漏电极，以完成所述场效应晶体管的制备。