[发明专利]制备半导体结构的方法、半导体结构及场效应晶体管在审
| 申请号： | 201711143838.6 | 申请日： | 2017-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN108022833A | 公开（公告）日： | 2018-05-11 |
| 发明（设计）人： | 王敬;武娴;肖磊 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/51 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 赵天月 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出了制备半导体结构的方法、半导体结构及场效应晶体管。该方法包括：提供氮化物半导体层；在所述氮化物半导体层的上表面设置界面层，所述界面层含有铝元素；在所述氮化物半导体层上设置第一介质层，所述第一介质层是通过对所述界面层进行热氧化或热氮氧化而形成的，所述界面层至少部分转化为所述第一介质层；以及在所述第一介质层远离所述氮化物半导体层的表面设置金属层。由此，可以利用简单的生产工艺获得具有高质量、优异界面特性的介质层的半导体结构。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 半导体 结构 方法 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种制备半导体结构的方法，其特征在于，包括：提供氮化物半导体层；在所述氮化物半导体层的上表面设置界面层，所述界面层含有铝元素；在所述氮化物半导体层上设置第一介质层，所述第一介质层是通过对所述界面层进行热氧化或热氮氧化而形成的，所述界面层至少部分转化为所述第一介质层；以及在所述第一介质层远离所述氮化物半导体层的表面设置金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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