[发明专利]制备半导体结构的方法、半导体结构及场效应晶体管在审
| 申请号： | 201711143838.6 | 申请日： | 2017-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN108022833A | 公开（公告）日： | 2018-05-11 |
| 发明（设计）人： | 王敬;武娴;肖磊 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/51 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 赵天月 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制备 半导体 结构 方法 场效应 晶体管 | ||
1.一种制备半导体结构的方法，其特征在于，包括：
提供氮化物半导体层；
在所述氮化物半导体层的上表面设置界面层，所述界面层含有铝元素；
在所述氮化物半导体层上设置第一介质层，所述第一介质层是通过对所述界面层进行热氧化或热氮氧化而形成的，所述界面层至少部分转化为所述第一介质层；以及
在所述第一介质层远离所述氮化物半导体层的表面设置金属层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氮化物半导体层设置在基底层上。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述基底层包括半导体材料以及绝缘材料的至少之一，
任选地，所述基底层包括Si、SiC、AlN、蓝宝石以及GaN的至少之一。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氮化物半导体层的上表面的至少一部分为非极性面或半极性面。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氮化物半导体层包括GaN晶体、AlN晶体、InN晶体、In
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述界面层包括具有非晶、赝晶或晶体结构的含Al的氮化物的至少之一，
所述第一介质层是由所述界面层经过所述热氧化或热氮氧化形成的高k介质形成的。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述界面层为AlN，所述界面层的厚度为1-100nm。
8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述高k介质为Al
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述热氧化或所述热氮氧化的温度为600-1000℃。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在设置所述金属层之前，在所述第一介质层远离所述氮化物半导体层的表面进一步设置第二介质层，
在所述第二介质层远离所述氮化物半导体层的表面设置所述金属层。
11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述第二介质层是通过原子层沉积、磁控溅射或等离子体增强化学气相沉积形成的，
任选地，所述第二介质层包括Al
12.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述界面层是在所述基底层上设置所述氮化物半导体层时采用原位沉积技术形成的。
13.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述界面层是通过金属有机物化学气相沉积、原子层沉积、磁控溅射或等离子体增强化学气相沉积形成的。
14.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构是由权利要求1-13任一项所述的方法制备的。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
