[发明专利]电平位移器以及半导体元件

摘要

本发明提供一种电平位移器以及半导体元件，其中，电平位移器位于高电位电路区与低电位电路区之间且包括基底、埋入岛区以及隔离结构。埋入岛区具有第一导电型且位于基底中。隔离结构具有第二导电型、位于基底中且围绕埋入岛区。此外，隔离结构靠近高电位电路区处的尺寸不同于隔离结构靠近低电位电路区处的尺寸。另提供一种包括所述电平位移器的半导体元件。本发明的半导体元件或电平位移器中，由于配置有尺寸渐变或/及掺杂浓度渐变的隔离结构，故可完全空乏隔离区，均匀分散高电位电路区与低电位电路区之间的高电场聚集效应，进而有效抑制漏电流并提升崩溃电压。

主权项

1.一种电平位移器，其特征在于，位于高电位电路区与低电位电路区之间且包括：基底；埋入岛区，具有第一导电型且埋于所述基底中；以及隔离结构，具有第二导电型、位于所述基底中且围绕所述埋入岛区，其中所述隔离结构靠近所述高电位电路区处的尺寸不同于所述隔离结构靠近所述低电位电路区处的尺寸。