[发明专利]电平位移器以及半导体元件

权利要求书

1.一种电平位移器，其特征在于，位于高电位电路区与低电位电路区之间且包括：

基底；

埋入岛区，具有第一导电型且埋于所述基底中；

隔离结构，具有第二导电型、位于所述基底中且围绕所述埋入岛区，其中所述隔离结构靠近所述高电位电路区处的尺寸不同于所述隔离结构靠近所述低电位电路区处的尺寸；以及

具有所述第一导电型的掺杂区，其位于所述埋入岛区与所述低电位电路区之间的所述基底中，且被所述隔离结构围绕。

2.如权利要求1所述的电平位移器，其特征在于，所述尺寸包括长度、宽度或两者。

3.如权利要求1所述的电平位移器，其特征在于，所述隔离结构的宽度随着远离所述高电位电路区而逐渐地减少或阶梯式减少。

4.如权利要求3所述的电平位移器，其特征在于，所述隔离结构的掺杂深度随着远离所述高电位电路区而逐渐地减少。

5.如权利要求1所述的电平位移器，其特征在于，所述隔离结构为块状隔离掺杂区。

6.一种半导体元件，其特征在于，包括：

基底，具有高电位电路区、终端区以及低电位电路区，其中所述低电位电路区环绕所述高电位电路区，且所述终端区位于所述高电位电路区与所述低电位电路区之间；

高电位电路，位于所述高电位电路区中且包括埋入层，所述埋入层具有第一导电型且埋于所述基底中；以及

电平位移器，位于所述终端区中且包括：

埋入岛区，具有所述第一导电型且埋于所述基底中；

隔离结构，具有第二导电型、位于所述基底中且围绕所述埋入岛区，其中所述隔离结构靠近所述高电位电路区处的尺寸不同于所述隔离结构靠近所述低电位电路区处的尺寸，

其中所述埋入层的凹面对应于所述埋入岛区的凸面，且所述隔离结构位于所述埋入层与所述埋入岛区之间；以及

具有所述第一导电型的掺杂区，其位于所述埋入岛区与所述低电位电路区之间的所述基底中，且被所述隔离结构围绕。

7.如权利要求6所述的半导体元件，其特征在于，所述高电位电路区为一上桥电路区，所述低电位电路区为一下桥电路区。

8.如权利要求6所述的半导体元件，其特征在于，所述隔离结构具有：

第一隔离掺杂区，与所述高电位电路区相邻且完全位于所述埋入层与所述埋入岛区之间；

第二隔离掺杂区，与第一隔离掺杂区相邻且部分位于所述埋入层与所述埋入岛区之间；以及

第三隔离掺杂区，与第二隔离掺杂区以及所述低电位电路区相邻。

9.一种电平位移器，其特征在于，位于高电位电路区与低电位电路区之间且包括：

基底；

埋入岛区，具有第一导电型且位于所述基底中；

隔离结构，具有第二导电型、位于所述基底中且围绕所述埋入岛区，其中所述隔离结构的宽度相同，但所述隔离结构靠近所述高电位电路区处的掺杂浓度不同于所述隔离结构靠近所述低电位电路区处的掺杂浓度；以及

具有所述第一导电型的掺杂区，其位于所述埋入岛区与所述低电位电路区之间的所述基底中，且被所述隔离结构围绕。