[发明专利]超声效果评价组件及方法在审
申请号: | 201711140503.9 | 申请日: | 2017-11-16 |
公开(公告)号: | CN109801852A | 公开(公告)日: | 2019-05-24 |
发明(设计)人: | 魏超锋;邓浩;谢志宴;高攀红;张超;辛丽;李瑛 | 申请(专利权)人: | 隆基绿能科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人: | 钟欢 |
地址: | 710100 陕西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明公开的超声效果评价组件,用于评价超声清洗设备的超声效果,至少包括一个支撑框架,支撑框架上具有膜层,超声清洗设备向膜层施加超声作用。本发明公开的超声效果评价方法,采用如上所述的超声效果评价组件完成,包括步骤:将超声效果评价组件置入超声清洗设备中进行超声处理,然后检查膜层的表面,根据膜层表面的情况判定超声清洗设备的超声效果。本发明的超声效果评价组件制作简单,耗材投入成本低。超声效果评价方法操作简单,易于实施,普通操作人员仅需简单培训,均可快速掌握;检测效果直观,可对不同厂家超声波清洗设备的清洗能力进行定性判定,反映硅片超声清洗设备的超声效果,从而判定超声波清洗设备清洗硅片的能力。 | ||
搜索关键词: | 超声 效果评价 超声清洗设备 膜层 超声波清洗设备 判定 支撑框架 硅片 超声处理 超声作用 膜层表面 清洗能力 组件制作 耗材 置入 定性 清洗 施加 直观 检测 培训 检查 | ||
【主权项】:
1.超声效果评价组件,其特征在于,用于评价超声清洗设备的超声效果,所述超声效果评价组件至少包括一个支撑框架,所述支撑框架上具有膜层,所述超声清洗设备向所述膜层施加超声作用。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造