[发明专利]超声效果评价组件及方法在审
| 申请号: | 201711140503.9 | 申请日: | 2017-11-16 |
| 公开(公告)号: | CN109801852A | 公开(公告)日: | 2019-05-24 |
| 发明(设计)人: | 魏超锋;邓浩;谢志宴;高攀红;张超;辛丽;李瑛 | 申请(专利权)人: | 隆基绿能科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人: | 钟欢 |
| 地址: | 710100 陕西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 超声 效果评价 超声清洗设备 膜层 超声波清洗设备 判定 支撑框架 硅片 超声处理 超声作用 膜层表面 清洗能力 组件制作 耗材 置入 定性 清洗 施加 直观 检测 培训 检查 | ||
本发明公开的超声效果评价组件,用于评价超声清洗设备的超声效果,至少包括一个支撑框架,支撑框架上具有膜层,超声清洗设备向膜层施加超声作用。本发明公开的超声效果评价方法,采用如上所述的超声效果评价组件完成,包括步骤:将超声效果评价组件置入超声清洗设备中进行超声处理,然后检查膜层的表面,根据膜层表面的情况判定超声清洗设备的超声效果。本发明的超声效果评价组件制作简单,耗材投入成本低。超声效果评价方法操作简单,易于实施,普通操作人员仅需简单培训,均可快速掌握;检测效果直观,可对不同厂家超声波清洗设备的清洗能力进行定性判定,反映硅片超声清洗设备的超声效果,从而判定超声波清洗设备清洗硅片的能力。
技术领域
本发明属于硅片缺陷检测技术领域,具体涉及一种超声效果评价组件,还涉及一种采用该组件评价超声清洗设备性能的方法。
背景技术
随着世界经济的不断发展,现代化建设对高效能源需求不断增长。光伏发电作为绿色能源以及人类可持续发展的主要能源的一种,日益受到世界各国的重视并得到大力发展。单晶硅片、多晶硅片作为光伏发电的太阳能电池片的基础材料,拥有广泛的市场需求。根据国际能源署(IEA)的估计,预计到2050年太阳能发电将占到全球发电总量的16%,太阳能将成为未来人类生产和生活的主要能源之一。根据我国光伏协会的统计数据,目前硅片年产量已经超过100亿片。
在硅片的加工过程中,为了保证硅片表面具有较高的洁净度,需要大量清洗液冲洗并配合化学腐蚀、超声波振荡以及加热等化学、物理作用以去除硅片表面的污染物。硅片清洗作业流水线的设备一般包括硅片脱胶机(又称为硅片预清洗机)、插片机和硅片清洗机。硅片脱胶机,是对切割后的硅片进行清洗和脱胶处理的设备,多采用槽式清洗机。插片机,是对脱胶后的硅片分片并插入特制的花篮中的设备。硅片清洗机,是对切割后的硅片进行清洗和干燥处理的设备。在硅片脱胶机、硅片清洗机中均设置有对硅片进行超声波振荡的超声波清洗槽。在超声波清洗槽内,硅片在花篮等机构的承载下,以垂直于水平面的竖直状态,受到超声作用以脱除硅片表面的脏污。硅片的清洗效果作为硅片品质的考察指标之一,硅片的清洗效果不理想将会影响太阳能电池的后续制作工艺以及发电效率。
超声波清洗槽内的超声波的均匀性、超声波的强弱等因素直接影响硅片的清洗效果。为了判定超声清洗设备的超声性能,目前多采用超声波测量仪(五点法测量)测定超声波清洗槽内的超声波强弱。但由于超声波测量仪自身之间的差异,以及采用超声波测量仪测定超声波强弱难以获得准确的数据,致使超声清洗设备的超声性能判定时常产生误判和争议。因此,如何通过快速、有效、成本低廉的方法检测超声清洗设备的超声性能,对超声清洗设备制造厂家以及其用户均具有重要的现实意义。
发明内容
本发明的目的在于提供一种超声效果评价组件,从定性的角度衡量、判定超声清洗设备性能,反映超声清洗设备的超声效果,比如可用于判定超声清洗设备对硅片的清洗能力。
本发明的目的还在于提供一种采用上述超声效果评价组件评价超声清洗设备性能的方法。
本发明所采用的一种技术方案是:超声效果评价组件,用于评价超声清洗设备的超声效果,所述超声效果评价组件至少包括一个支撑框架,所述支撑框架上具有膜层,所述超声清洗设备向所述膜层施加超声作用。
进一步的,所述支撑框架包括外侧的框体部,所述膜层可拆卸地设置在所述框体部的表面并至少部分覆盖所述框体部围成的区域。
优选的,所述支撑框架为一个,所述膜层固定于所述框体部并完全覆盖所述框体部围成的区域。
或者优选的,所述支撑框架为两个,所述膜层夹持在两个所述支撑框架的框体部之间,且所述膜层至少完全覆盖其中一个所述框体部围成的区域。
事例性的,所述框体部围成的区域的形状、尺寸与硅片相同。
进一步的,所述膜层为单层或者多层,且所述膜层为金属箔片。
优选的,所述膜层为单层且选用锡纸。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于隆基绿能科技股份有限公司,未经隆基绿能科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711140503.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体装置的制造方法
- 下一篇:一种SOC芯片测试方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





