[发明专利]三维NAND中的金属钨栅的制造方法在审
| 申请号： | 201711140467.6 | 申请日： | 2017-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN107978519A | 公开（公告）日： | 2018-05-01 |
| 发明（设计）人： | 顾立勋;郑晓芬;蒋阳波;汪亚军;吴良辉 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司11619 | 代理人： | 佟林松 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种三维NAND中的金属钨栅的制造方法，其特征在于方法包括提供衬底；在衬底上，沉积介质阻挡层；在介质阻挡层上，沉积种子层；在种子层上，沉积金属钨；对金属钨进行干法刻蚀；以及对干法刻蚀之后的金属钨进行湿法刻蚀。本发明使用先干法刻蚀，再湿法刻蚀的技术对钨进行刻蚀，其中，干法刻蚀能够使得刻蚀之后凹槽中的金属钨的宽度变得更为一致，湿法刻蚀能够获得更好的刻蚀之后的金属栅的微观轮廓。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 nand 中的 金属 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种三维NAND中的金属钨栅的制造方法，其特征在于：所述方法包括：提供衬底；在所述衬底上，沉积介质阻挡层；在所述介质阻挡层上，沉积种子层；在所述种子层上，沉积金属钨；对所述金属钨进行干法刻蚀；以及对干法刻蚀之后的金属钨进行湿法刻蚀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
