[发明专利]三维NAND中的金属钨栅的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种金属栅的制造方法，特别涉及一种三维NAND中的金属钨栅的制造方法。

背景技术

随着平面型存储器的不断发展，半导体的生产工艺取得了巨大进步。但是近几年来，平面型存储器的发展遇到了各种挑战，为了克服平面存储器的诸多缺陷，应运而生的是三维存储器。目前比较先进的三维存储器制造方法记载于中国专利公开文本CN106847820A中。在该现有技术文献中，提出了一种新的制造三维存储器的方法，其中必要的制备工艺包括：在绝缘层之间形成栅结构，其中，该栅结构从内到外依次包括高K介质阻挡层、种子层、金属钨。随后刻蚀该金属钨层得到金属栅，该文献指出，刻蚀方法应当是本领域公知的方法，而本领域公知的方法即直接使用湿法刻蚀对金属钨层进行刻蚀。但是使用直接使用湿法刻蚀对金属钨层进行刻蚀具有如下缺陷：1、湿法刻蚀方法成本较高；2、湿法刻蚀耗时较长，通常刻蚀时间在5500s以上，影响生产效率；3、晶片生产效率(WPH)低，刻蚀之后通道中金属钨底部和顶部的宽度不统一，即凹隙(RECESS GAP)很大。图5和图6分别示出了现有技术中钨金属底部和顶部的凹隙宽度示意图表和示意图。

公开于该背景技术部分的信息仅仅旨在增加对本发明的总体背景的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域一般技术人员所公知的现有技术。

发明内容

本发明的目的在于提供一种三维NAND中的金属钨栅的制造方法，从而克服现有技术的缺点。

为实现上述目的，本发明提供了一种三维NAND中的金属钨栅的制造方法，所述方法包括：提供衬底；在所述衬底上，沉积介质阻挡层；在所述介质阻挡层上，沉积种子层；

在所述种子层上，沉积金属钨；对所述金属钨进行干法刻蚀；以及对干法刻蚀之后的金属钨进行湿法刻蚀。

优选地，所述衬底是二氧化硅。

优选地，所述介质阻挡层是三氧化二铝层，所述种子层是氮化钛层。

优选地，所述干法刻蚀是：对所述金属钨进行高密度等离子体干法刻蚀。

优选地，刻蚀气体包括氟基气体、氯基气体、溴基气体或它们的组合。

优选地，所述湿法刻蚀中使用的溶液选SPM溶液、PAN溶液其中之一。

与现有技术相比，本发明具有如下有益效果：本发明使用先干法刻蚀，在湿法刻蚀的技术对钨进行刻蚀，其中，干法刻蚀能够使得刻蚀之后凹槽中的金属钨的宽度变得更为一致，湿法刻蚀能够获得更好的刻蚀之后的金属栅的微观轮廓。

附图说明

图1示出了本申请的三维存储器的结构图；

图2a-2b示出了现有技术中形成栅结构的结构流程图；

图3a-3c是根据本发明的实施例的形成金属钨栅的结构流程图；

图4是根据本发明的方法流程图；

图5示出了现有技术中钨金属底部和顶部的凹隙宽度示意图表；

图6示出了现有技术中钨金属底部和顶部的凹隙示意图。

具体实施方式

下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施方式。虽然附图中显示了本公开的示例性实施方式，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施方式所限制。相反，提供这些实施方式是为了能够更透彻地理解本公开，并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。