[发明专利]一种在高深宽比沟道孔刻蚀中保护侧壁的工艺有效
申请号: | 201711140438.X | 申请日: | 2017-11-16 |
公开(公告)号: | CN107994026B | 公开(公告)日: | 2020-07-10 |
发明(设计)人: | 方振;王猛;刘隆冬;苏恒;朱喜峰;陈保友;戴绍龙 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/11551 | 分类号: | H01L27/11551;H01L27/11578 |
代理公司: | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人: | 佟林松 |
地址: | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明提供了一种高深宽比沟道孔刻蚀中保护侧壁的工艺,包括以下步骤:提供衬底堆叠结构;在所述衬底堆叠结构上面刻蚀形成沟道孔;在所述沟道孔中沉积填充形成沟道孔侧壁堆叠结构功能薄膜;在所述侧壁堆叠结构的表面沉积保护膜,且使得所述保护膜在沟道孔顶部的厚度比沟道孔底部的厚度大。本发明工艺由于保护膜在沟道孔顶部的厚度比沟道孔底部的厚度大;使得后续干法刻蚀时,顶部的保护膜特别是沟道孔上部开口处的保护膜更耐损伤,在干法刻蚀的终了,仍能有保护膜的剩余,从而保护沟道孔侧壁的堆叠结构功能薄膜不受等离子的轰击损伤,提高沟道孔刻蚀工艺制程的良率,提高器件的电气性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 高深 沟道 刻蚀 保护 侧壁 工艺 | ||
【主权项】:
一种高深宽比沟道孔刻蚀中保护侧壁的工艺,其特征在于,包括以下步骤:提供衬底堆叠结构;在所述衬底堆叠结构上面刻蚀形成沟道孔;在所述沟道孔中沉积填充形成沟道孔侧壁堆叠结构功能薄膜;在所述侧壁堆叠结构的表面沉积保护膜,且使得所述保护膜在沟道孔顶部的厚度比沟道孔底部的厚度大。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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