[发明专利]一种在高深宽比沟道孔刻蚀中保护侧壁的工艺有效
申请号: | 201711140438.X | 申请日: | 2017-11-16 |
公开(公告)号: | CN107994026B | 公开(公告)日: | 2020-07-10 |
发明(设计)人: | 方振;王猛;刘隆冬;苏恒;朱喜峰;陈保友;戴绍龙 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/11551 | 分类号: | H01L27/11551;H01L27/11578 |
代理公司: | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人: | 佟林松 |
地址: | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 高深 沟道 刻蚀 保护 侧壁 工艺 | ||
1.一种高深宽比沟道孔刻蚀中保护侧壁的工艺,其特征在于,包括以下步骤:
提供衬底堆叠结构;
在所述衬底堆叠结构上面刻蚀形成沟道孔;
在所述沟道孔中沉积填充形成沟道孔侧壁堆叠结构功能薄膜;
在所述侧壁堆叠结构的表面沉积保护膜,且使得所述保护膜在沟道孔顶部的厚度比沟道孔底部的厚度大;
所述保护膜的厚度从顶部到底部逐渐过渡使得在沟道孔纵向截面单侧的保护膜呈倒锥形。
2.如权利要求1所述的保护侧壁的工艺,其特征在于,控制沉积工艺,使得所述保护膜在沟道孔顶部的厚度至沟道孔底部的厚度在经干法刻蚀后的剩余保护膜的厚度基本相等。
3.如权利要求1或2所述的保护侧壁的工艺,其特征在于,所述衬底堆叠结构包括衬底表面形成的相互间隔开的氧化硅-氮化硅堆叠薄膜(O/N)以及上面的硬掩膜(HM)。
4.如权利要求1或2所述的保护侧壁的工艺,其特征在于,所述沟道孔侧壁堆叠结构功能薄膜包括用作阻挡层、存储层和隧穿层的氧化物-氮化物-氧化物结构(ONO)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的