[发明专利]一种随机散射光反馈的InP基单片集成混沌半导体激光器芯片有效
| 申请号： | 201711140218.7 | 申请日： | 2017-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN107658694B | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | 张明江;张建忠;牛亚楠;刘毅;赵彤;乔丽君;王安帮;王云才 | 申请（专利权）人： | 太原理工大学 |
| 主分类号： | H01S5/125 | 分类号： | H01S5/125;H01S5/323 |
| 代理公司： | 14100 太原科卫专利事务所(普通合伙) | 代理人： | 朱源;曹一杰 |
| 地址： | 030024 *** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明涉及集成混沌半导体激光器，具体是一种随机散射光反馈的InP基单片集成混沌半导体激光器芯片。本发明有效解决了现有混沌激光源体积大、混沌信号带有时延特征、带宽窄以及光与光波导的耦合效率低的问题。随机散射光反馈的InP基单片集成混沌半导体激光器芯片由：左分布式反馈半导体激光器，双向放大的半导体光放大器，左无源光波导部分，掺杂无源光波导部分，右无源光波导部分，右分布式反馈半导体激光器六部分组成。具体包括：N | ||
| 搜索关键词： | 一种 随机 散射 反馈 inp 单片 集成 混沌 半导体激光器 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种随机散射光反馈的InP基单片集成混沌半导体激光器芯片，其特征在于，包括如下结构：/n一N型衬底（8）；/n一InGaAsP下限制层（9），外延生长在N型衬底（8）上；/n一无掺杂InGaAsP多量子阱有源区层（10），外延生长在InGaAsP下限制层（9）上；/n一InGaAsP上限制层（13），外延生长在无掺杂InGaAsP多量子阱有源区层（10）上；/n一P型重掺杂的InP盖层（14），为脊型，外延生长在InGaAsP上限制层（13）中间；/n一P型重掺杂InGaAs接触层（15），在P型重掺杂的InP盖层（14）上；/n一P
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