[发明专利]半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201711139862.2 | 申请日： | 2017-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN108807160B | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 蔡嘉庆;邱意为;许立德 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的实施例涉及半导体器件及其形成方法，该方法包括形成晶体管，形成晶体管包括在半导体区域上形成栅极电介质，在栅极电介质上方形成栅电极，并且形成延伸至半导体区域内的源极/漏极区域。该方法还包括在源极/漏极区域上方形成电连接至源极/漏极区域的源极/漏极接触插塞，并且在栅电极上方形成与栅电极接触的栅极接触插塞。形成栅电极、形成源极/漏极接触插塞和形成栅极接触插塞的至少一个包括形成金属氮化物阻挡层，并且在金属氮化物阻挡层上方形成与金属氮化物阻挡层接触的含金属层。含金属层包括钴层和金属硅化物层的至少一个。本发明的实施例还涉及具有减小的电阻率的晶体管的金属栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体器件的方法，包括：形成晶体管，包括：在半导体区域上形成栅极电介质；在所述栅极电介质上方形成栅电极；和形成延伸至所述半导体区域内的源极/漏极区域；在所述源极/漏极区域上方形成电连接至所述源极/漏极区域的源极/漏极接触插塞；以及在所述栅电极上方形成与所述栅电极接触的栅极接触插塞，其中，形成所述栅电极、形成所述源极/漏极接触插塞或形成所述栅极接触插塞的至少一个包括：形成金属氮化物阻挡层；和在所述金属氮化物阻挡层上方沉积与所述金属氮化物阻挡层接触的含金属层，其中，所述含金属层包括钴层或金属硅化物层的至少一个。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
