[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种形成半导体器件的方法，包括：

形成晶体管，包括：

在半导体区域上形成栅极电介质；

在所述栅极电介质上方形成栅电极；和

形成延伸至所述半导体区域内的源极/漏极区域；

在所述源极/漏极区域上方形成电连接至所述源极/漏极区域的源极/漏极接触插塞；以及

在所述栅电极上方形成与所述栅电极接触的栅极接触插塞，其中，形成所述栅极接触插塞包括：

去除栅极间隔件的相对部分之间的硬掩模；

形成金属氮化物阻挡层；

在所述金属氮化物阻挡层上方沉积与所述金属氮化物阻挡层接触的含金属层，其中，所述含金属层包括钴层或金属硅化物层的至少一个，所述金属氮化物阻挡层和所述含金属层延伸至由去除的硬掩模留下的开口内；和

实施平坦化以去除所述金属氮化物阻挡层和所述含金属层的过量部分。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述栅电极包括：

沉积含氮化钛层；

在所述含氮化钛层上方沉积功函层，其中，所述金属氮化物阻挡层位于所述功函层上方；以及

实施平坦化以去除所述含氮化钛层和所述功函层的过量部分。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述源极/漏极接触插塞包括：

蚀刻层间电介质以形成源极/漏极接触开口，其中，所述源极/漏极区域暴露于所述源极/漏极接触开口；

沉积金属层，所述金属层具有延伸至所述源极/漏极接触开口内的部分，其中，所述金属氮化物阻挡层沉积在所述金属层上方；

实施退火以形成源极/漏极硅化物；以及

实施平坦化以去除所述金属层和所述金属氮化物阻挡层的过量部分。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述含金属层包括金属硅化物层和不含硅的钴层，所述金属硅化物层和所述钴层使用相同的前体形成。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，沉积所述含金属层包括：

沉积金属硅化物层；以及

在所述金属硅化物层上方沉积不含硅的钴层。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述金属硅化物层的上部比所述金属硅化物层的相应的下部具有越来越低的硅百分比。

7.根据权利要求1所述的方法，所述含金属层的整个均由具有均匀电阻率的钴形成，并且所述含金属层不含除了钴之外的元素。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述含金属层的整个均由具有均匀电阻率的所述金属硅化物层形成。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，沉积所述含金属层包括沉积所述金属硅化物层，并且当沉积所述金属硅化物层时，改变相应的晶圆的温度。

10.一种形成半导体器件的方法，包括：

在半导体区域上方形成伪栅极堆叠件；

形成层间电介质，其中，所述伪栅极堆叠件位于所述层间电介质中；

去除所述伪栅极堆叠件以在所述层间电介质中形成开口；

形成延伸至所述开口内的置换栅极电介质；

在所述置换栅极电介质上方形成功函金属层；

在所述置换栅极电介质上方形成包括氮化钛层的阻挡层；

沉积延伸至所述开口内的含钴层，其中，所述含钴层位于所述阻挡层上面并且与所述阻挡层接触，沉积所述含钴层包括沉积硅化钴层；

实施平坦化以去除所述置换栅极电介质、所述功函金属层、所述阻挡层和所述含钴层的过量部分以形成置换栅极堆叠件；以及

形成源极区域和漏极区域，其中，所述源极区域和所述漏极区域位于所述置换栅极堆叠件的相对侧上。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述含钴层不含除了钴之外的元素。