[发明专利]一种具有遮光封装结构的传感器芯片及其制备方法在审
申请号: | 201711139424.6 | 申请日: | 2017-11-16 |
公开(公告)号: | CN107831202A | 公开(公告)日: | 2018-03-23 |
发明(设计)人: | 张佰君;邢洁莹;黄德佳 | 申请(专利权)人: | 中山大学 |
主分类号: | G01N27/414 | 分类号: | G01N27/414 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司44102 | 代理人: | 陈伟斌 |
地址: | 510275 *** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明涉及生命科学半导体芯片的技术领域,更具体地,涉及一种具有遮光封装结构的传感器芯片及其制备方法。本发明集成了传感器、参比电极及具有微小孔径,利用虹吸现象引流的遮光封装结构。器件芯片能探测液体生物信号,操作方便,遮光封装避免半导体传感器由于光照产生光生载流子对器件产生干扰信号。本发明具有尺寸小、测试精度高、稳定性好、损耗低、重复性好等特点,能对需要稳定测量的环境进行离子及生物分子的测量,排除光照及外界干扰对器件和样品产生的影响。 | ||
搜索关键词: | 一种 具有 遮光 封装 结构 传感器 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种具有遮光封装结构的传感器芯片,其特征在于,由下往上依次包括衬底(1)、成核层(2)、应力缓冲层(3)、GaN层(4)、AlGaN层(5)、敏感材料层(6),不透光封装绝缘材料(7)及通过特殊溶液腐蚀沉积在封装绝缘层中的可溶性材料而形成的溶液进出口(8)及溶液接触区(9);所述至少GaN层(6)以上形成凸台,GaN层和AlGaN层形成在凸台上,所述AlGaN层上形成有源电极金属(10)和漏电极金属(11),所述凸台下形成参比电极(12),所述源电极金属和漏电极金属之间的传感区域形成敏感材料层;所述溶液接触区覆盖部分参比电极及所有传感区域;凸台以下设有长引线(13)及多个Pad(14),所述源电极金属、漏电极金属、参比电极皆与对应的Pad区域电连接。
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