[发明专利]绝缘填充层的表面平坦化方法在审
申请号: | 201711139310.1 | 申请日: | 2017-11-16 |
公开(公告)号: | CN107910261A | 公开(公告)日: | 2018-04-13 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 睿力集成电路有限公司 |
主分类号: | H01L21/3105 | 分类号: | H01L21/3105 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人: | 智云 |
地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种绝缘填充层的表面平坦化的方法。通过在绝缘填充层的顶部形成一暂时性表面保护层,并利用暂时性表面保护层修饰绝缘填充层的顶表面部分的形貌,以进一步优化从绝缘填充层顶表面凸出的突起的轮廓,使暂时性表面保护层中覆盖在突起侧壁上的保护侧壁和与之连接的保护表层之间的夹角具备较大的角度,有效降低了修饰后的突起的内应力,从而在研磨压力的作用下执行化学机械研磨工艺时,可使突起仍能够从其顶部至底部逐渐消耗,避免了突起发生断裂并在绝缘填充层的内部产生裂纹的问题。 | ||
搜索关键词: | 绝缘 填充 表面 平坦 方法 | ||
【主权项】:
一种绝缘填充层的表面平坦化方法,其特征在于,包括:提供一衬底,所述衬底上形成有一绝缘填充层,所述绝缘填充层的顶表面上具有至少一个突起,所述突起从所述绝缘填充层的顶表面凸出,并且所述突起具有突起侧壁,所述突起侧壁的外表面和所述绝缘填充层的顶表面之间的连接处呈第一夹角;沉积一暂时性表面保护层在所述绝缘填充层的顶表面上,所述暂时性表面保护层中覆盖在所述突起侧壁上的部分用于构成一保护侧壁,所述暂时性表面保护层中覆盖在所述绝缘填充层的顶表面上的部分用于构成一保护表层,所述保护侧壁的外表面和所述保护表层的外表面之间连接处呈第二夹角,所述第二夹角大于所述第一夹角;以及,对所述暂时性表面保护层和所述绝缘填充层执行化学机械研磨工艺,以修饰所述绝缘填充层的外形为一平坦层,所述暂时性表面保护层连同覆盖有所述保护侧壁的所述突起在研磨过程中沿着高度方向逐渐消耗殆尽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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