[发明专利]绝缘填充层的表面平坦化方法

权利要求书

1.一种绝缘填充层的表面平坦化方法，其特征在于，包括：

提供一衬底，所述衬底上形成有一绝缘填充层，所述绝缘填充层的顶表面上具有至少一个突起，所述突起从所述绝缘填充层的顶表面凸出，并且所述突起具有突起侧壁，所述突起侧壁的外表面和所述绝缘填充层的顶表面之间的连接处呈第一夹角；

沉积一暂时性表面保护层在所述绝缘填充层的顶表面上，所述暂时性表面保护层中覆盖在所述突起侧壁上的部分用于构成一保护侧壁，所述暂时性表面保护层中覆盖在所述绝缘填充层的顶表面上的部分用于构成一保护表层，所述保护侧壁的外表面和所述保护表层的外表面之间连接处呈第二夹角，所述第二夹角大于所述第一夹角；以及，

对所述暂时性表面保护层和所述绝缘填充层执行化学机械研磨工艺，以修饰所述绝缘填充层的外形为一平坦层，所述暂时性表面保护层连同覆盖有所述保护侧壁的所述突起在研磨过程中沿着高度方向逐渐消耗殆尽。

2.如权利要求1所述的绝缘填充层的表面平坦化方法，其特征在于，在化学机械研磨过程中，所述平坦层的顶表面相对于研磨前的所述绝缘填充层的顶表面更为下沉，从所述突起的底部至顶部，所述暂时性表面保护层的所述保护侧壁在垂直于所述突起侧壁的方向上的厚度逐渐减小。

3.如权利要求1所述的绝缘填充层的表面平坦化的方法，其特征在于，所述第一夹角小于90°，所述第二夹角大于等于90°。

4.如权利要求1所述的绝缘填充层的表面平坦化方法，其特征在于，所述突起的所述突起侧壁包括一外弧形侧壁，所述外弧形侧壁从背离所述突起的中心凸出，使所述外弧形侧壁和所述绝缘填充层的顶表面之间的夹角小于90°。

5.如权利要求4所述的绝缘填充层的表面平坦化方法，其特征在于，所述暂时性表面保护层填充所述突起的所述外弧形侧壁与所述绝缘填充层的顶表面之间的夹角区域，以辅助支撑所述突起。

6.如权利要求1所述的绝缘填充层的表面平坦化方法，其特征在于，所述突起的突起侧壁包含周边环形的顶角，在所述突起的中心点呈现下凹。

7.如权利要求6所述的绝缘填充层的表面平坦化方法，其特征在于，所述暂时性表面保护层不覆盖所述突起的所述顶角，所述暂时性表面保护层的所述保护侧壁从所述突起的顶角延伸覆盖至所述突起侧壁的底部，并且所述暂时性表面保护层的所述保护侧壁在垂直于所述突起侧壁的方向上的厚度从所述突起的顶角至底部逐渐增加。

8.如权利要求1所述的绝缘填充层的表面平坦化方法，其特征在于，所述绝缘填充层的形成方法包括：

形成一绝缘材料层在所述衬底上，所述衬底上还形成有至少一个组件，所述绝缘材料层填充所述组件的外围区域并覆盖所述组件的顶部和侧部，其中所述绝缘材料层中覆盖在所述组件顶部的部分相对于所述绝缘材料层的顶表面往远离所述组件的方向凸出，而构成一凸出部；以及，

部分去除所述绝缘材料层的所述凸出部，以减少所述绝缘材料层的所述凸出部的量，并形成一凹槽在所述凸出部中，由剩余的所述绝缘材料层构成所述绝缘填充层，由所述绝缘材料层的顶表面构成所述绝缘填充层的顶表面，其中，所述凸出部中位于所述凹槽外围的部分相对于所述凹槽的底表面和所述绝缘填充层的顶表面凸出而构成所述突起，由所述凹槽的凹槽侧壁和所述凸出部的凸出侧壁共同构成了所述突起的突起侧壁。

9.如权利要求8所述的绝缘填充层的表面平坦化方法，其特征在于，所述绝缘材料层的材质包含氧化硅，所述组件包括电容数组。

10.如权利要求8所述的绝缘填充层的表面平坦化方法，其特征在于，在沉积所述暂时性表面保护层的步骤中，所述暂时性表面保护层覆盖所述凹槽的凹槽侧壁和凹槽底表面，并覆盖所述凸出部的所述凸出侧壁，其中，所述暂时性表面保护层中覆盖在所述凹槽侧壁上的部分和覆盖在所述凸出侧壁上的部分共同构成所述保护侧壁，以及所述暂时性表面保护层中覆盖在所述凹槽底表面上的部分和覆盖在所述绝缘填充层的顶表面上的部分共同构成所述保护表层。

11.如权利要求8所述的绝缘填充层的表面平坦化方法，其特征在于，所述凹槽的边界定义在所述凸出部的区域范围内，使所述凹槽的边界不超过所述凸出部的边界范围。