[发明专利]一种共源极钨墙与钨栅极之间高质量间隙层的3DNAND制备方法在审
| 申请号： | 201711138366.5 | 申请日： | 2017-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN107968091A | 公开（公告）日： | 2018-04-27 |
| 发明（设计）人： | 丁蕾;高晶;杨川;喻兰芳;严萍;张森;许波 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11524 | 分类号： | H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/1157;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司11619 | 代理人： | 佟林松 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种共源极钨墙与钨栅极之间高质量间隙层的3D NAND制备方法，包括如下步骤提供一具有沟道槽的衬底堆叠结构；栅极线层狭缝(GLS)中钨(W)的湿法刻蚀；在沟道槽中形成ONO间隙层结构，包括先进行第一次栅极线间隙层(GLSP)氧化物沉积；然后进行栅极线间隙层(GLSP)氮化硅沉积；再进行第二次栅极线间隙层氧化物沉积；间隙层ONO结构回刻蚀；在沟道槽填充沉积共源极(ACS)钨(W)墙；共源极(ACS)钨(W)墙的表面平坦化。在两层间隙层氧化物之间增加氮化硅间隙层形成三明治结构可以有效的提高EOT以及薄膜质量，因此会提高共源极钨墙与钨栅极之间的击穿电压，提高器件的电气性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 共源极钨墙 栅极 之间 质量 间隙 dnand 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种共源极钨墙与钨栅极之间高质量间隙层的3D NAND制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：提供一具有沟道槽的衬底堆叠结构；栅极线层狭缝(GLS)中钨(W)的湿法刻蚀；在沟道槽中形成间隙层结构，具体的，所述间隙层为ONO结构，通过如下工艺形成：先进行第一次栅极线间隙层(GLSP)氧化物沉积；然后进行栅极线间隙层(GLSP)氮化硅沉积；再进行第二次栅极线间隙层氧化物沉积；间隙层ONO结构回刻蚀；在沟道槽填充沉积共源极(ACS)钨(W)墙；共源极(ACS)钨(W)墙的表面平坦化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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