[发明专利]一种稀土掺杂铝酸锶长余辉薄膜制备在审
申请号: | 201711133528.6 | 申请日: | 2017-11-16 |
公开(公告)号: | CN109796969A | 公开(公告)日: | 2019-05-24 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 江苏三联新材料有限公司 |
主分类号: | C09K11/64 | 分类号: | C09K11/64 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 223100 江苏省淮安市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种稀土掺杂铝酸锶长余辉薄膜制备,首先按名义成分制备Sr0.995Al2O4∶0.005Eu2+荧光粉和陶瓷靶材,然后在0.1 Pa的工作气压、2.5 W/cm2的功率密度和923 K的基片温度下,利用射频磁控溅射技术沉积1 h,在1223 K弱还原气氛下热处理后,得到了同质缓冲层.然后在缓冲层上继续沉积,在溅射气压0.2 Pa、功率密度2.5 W/cm2以及基片温度873 K的溅射参数下,沉积3 h,最后在相同条件下退火。 | ||
搜索关键词: | 沉积 铝酸锶长余辉 薄膜制备 稀土掺杂 荧光粉 射频磁控溅射 退火 弱还原气氛 同质缓冲层 热处理 成分制备 工作气压 溅射气压 陶瓷靶材 缓冲层 溅射 | ||
【主权项】:
1.一种稀土掺杂铝酸锶长余辉薄膜制备,首先按名义成分制备Sr0.995Al2O4∶0.005Eu2+荧光粉和陶瓷靶材,然后在0.1 Pa的工作气压、2.5 W/cm2的功率密度和923 K的基片温度下,利用射频磁控溅射技术沉积1 h,在1 223 K弱还原气氛下热处理后,得到了同质缓冲层.然后在缓冲层上继续沉积,在溅射气压0.2 Pa、功率密度2.5 W/cm2以及基片温度873 K的溅射参数下,沉积3 h,最后在相同条件下退火。
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