[发明专利]一种GaNHEMT器件寄生参数的提取方法在审
| 申请号： | 201711130805.8 | 申请日： | 2017-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN107918708A | 公开（公告）日： | 2018-04-17 |
| 发明（设计）人： | 陈勇波 | 申请（专利权）人： | 成都海威华芯科技有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙)51223 | 代理人： | 徐丰,张巨箭 |
| 地址： | 610029 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GaN HEMT器件寄生参数的提取方法，包括以下步骤将夹断偏置条件下的测试数据分为低频段、中频段和高频段三个频段，分别在低频段提取寄生电容和本征电容，在高频段提取寄生电感；结合零偏置条件和夹断偏置条件下的测试数据，提取GaN HEMT器件的寄生电阻；在夹断偏置条件下，评估全频段内模型的精度，计算误差大小；执行最优参数搜索的循环程序，搜索全频段内模型误差最小值对应的一组寄生参数值。本发明属于一种“半直接”的提取方法，具有传统“直接提取法”的优点，即提取方法简单、提取的值可信；同时，该方法由于引入了一个最优参数搜索算法，可以减小参数提取结果受测试不确定性的影响，提取精度较高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ganhemt 器件 寄生 参数 提取 方法 | ||
【主权项】：
一种GaN HEMT器件寄生参数的提取方法，其特征在于：包括以下步骤：S1、将夹断偏置条件下的测试数据分为低频段、中频段和高频段三个频段，分别在低频段提取寄生电容和本征电容，在高频段提取寄生电感；S2、结合零偏置条件和夹断偏置条件下的测试数据，提取GaN HEMT器件的寄生电阻；S3、结合步骤S1和S2的参数提取结果，在夹断偏置条件下，评估全频段内模型的精度，计算误差大小；S4、执行最优参数搜索的循环程序，搜索全频段内模型误差最小值对应的一组寄生参数值。
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