[发明专利]一种GaNHEMT器件寄生参数的提取方法

权利要求书

1.一种GaN HEMT器件寄生参数的提取方法，其特征在于：包括以下步骤：

S1、将夹断偏置条件下的测试数据分为低频段、中频段和高频段三个频段，分别在低频段提取寄生电容和本征电容，在高频段提取寄生电感；

S2、结合零偏置条件和夹断偏置条件下的测试数据，提取GaN HEMT器件的寄生电阻；

S3、结合步骤S1和S2的参数提取结果，在夹断偏置条件下，评估全频段内模型的精度，计算误差大小；

S4、执行最优参数搜索的循环程序，搜索全频段内模型误差最小值对应的一组寄生参数值。

2.根据权利要求1所述的一种GaN HEMT器件寄生参数的提取方法，其特征在于：

步骤S1中，在夹断偏置条件下的GaN HEMT器件的小信号等效电路拓扑包括：栅源本征电容C_gsp、栅漏本征电容C_gdp、漏源本征电容C_dsp、栅极寄生电阻R_g、栅极寄生电感L_g、漏极寄生电阻R_d、漏极寄生电感L_d、源极寄生电阻R_s、源极寄生电感L_s、栅极寄生电容C_pg和漏极寄生电容C_pd；GaN HEMT器件的栅极G通过栅极寄生电容C_pg与源极S连接，GaNHEMT器件的漏极D通过漏极寄生电容C_pd与源极S连接，栅极G还顺次通过栅极寄生电感L_g、栅极寄生电阻R_g、栅漏本征电容C_gdp、漏极寄生电阻R_d、漏极寄生电感L_d与漏极D连接；栅源本征电容C_gsp的一端与栅极寄生电阻R_g和栅漏本征电容C_gdp的公共连接点连接，漏源本征电容C_dsp的一端与漏极寄生电阻R_d和栅漏本征电容C_gdp的公共连接点连接，栅源本征电容C_gsp的另外一端和漏源本征电容C_dsp的另外一端均通过源极寄生电阻R_s、源极寄生电感L_s与源极S连接。